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adramine のブックマーク 2006/12/12 17:35
産総研:32ナノ世代LSI用ひずみ構造のn型トランジスタを開発[一応][ナノテク]2006/12/12 17:35
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www.aist.go.jp2006/12/12
発表・掲載日:2006/12/12 32ナノ世代LSI用ひずみ構造のn型トランジスタを開発 -電流方向にひずみをかけ電子移動度を2.2倍に改善- ポイント シリコンの(110)結晶面に電流方向に引っ張りひずみをかけた新しいn型...
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adramine のブックマーク 2006/12/12 17:35
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産総研:32ナノ世代LSI用ひずみ構造のn型トランジスタを開発
www.aist.go.jp2006/12/12
発表・掲載日:2006/12/12 32ナノ世代LSI用ひずみ構造のn型トランジスタを開発 -電流方向にひずみをかけ電子移動度を2.2倍に改善- ポイント シリコンの(110)結晶面に電流方向に引っ張りひずみをかけた新しいn型...
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