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    tree3yama
    tree3yama “同社の45nmプロセスは、ゲート絶縁膜にハフニウム系High-k材料を採用し、ゲート絶縁膜のリーク電流を1/10以下に削減するなど、製造面で抜本的な試みがなされている。”

    2007/11/12 リンク

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