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SOTB構造を活用した回路技術により、内蔵SRAMの世界最小13.7 nW/Mbitのスタンバイ電力(アクティブ動作比1/1000)と、1.84nsの高速読み出し動作を実現
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会社案内 arrow_right プレスルーム arrow_right ニュース arrow_right SOTB構造を活用した回路技術によ... 会社案内 arrow_right プレスルーム arrow_right ニュース arrow_right SOTB構造を活用した回路技術により、内蔵SRAMの世界最小13.7 nW/Mbitのスタンバイ電力(アクティブ動作比1/1000)と、1.84nsの高速読み出し動作を実現 SOTB構造を活用した回路技術により、内蔵SRAMの世界最小13.7 nW/Mbitのスタンバイ電力(アクティブ動作比1/1000)と、1.84nsの高速読み出し動作を実現 ルネサス エレクトロニクス株式会社(代表取締役社長兼CEO:呉 文精、以下ルネサス)はこのたび、IoT(Internet of Things)/ホームエレクトロニクス/ヘルスケア機器用ASSP (Application Specific Standard Product、特定用途向け汎用LSI)に内蔵する、低消費電力SRAMの回路技術を開発しま