「IBMはSamsungとの強力」❌

KQwYB1piKQwYB1pi のブックマーク 2021/12/16 14:47

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IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」

    米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチ...

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