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「IBMはSamsungとの強力」❌
KQwYB1pi のブックマーク 2021/12/16 14:47
IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」[誤字脱字]「IBMはSamsungとの強力」❌2021/12/16 14:47
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www.itmedia.co.jp2021/12/16
米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチ...
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KQwYB1pi のブックマーク 2021/12/16 14:47
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IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
www.itmedia.co.jp2021/12/16
米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチ...
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