IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」

米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。 VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」という。

[sawat]

マジか。頑張ってほしい。もっともエネルギー使用量が85%削減されたら、その分多くCPUぶん回す様になりそうな気がするが。

[mujisoshina]

スマホの消費電力が減ったら、たぶん充電が週一回では無くバッテリーを小さくする方に行くよな。

[satomi_hanten]

なんかFETと積層(TSV / 3D V-Cacheのことでしょ？)の話ごっちゃにしてる人いるけど全然違う話だよ。3Dスタッキング自体はFoverosが既に世に出てるし。

[augsUK]

積層構造以来、半導体界隈はそんなのどうやってエッチングプロセスで作るのというのばかりだわ。//AMDはあくまで電流は横方向の色々な素子を多段化、これは電流方向自体が垂直にした全く違う構造ではないか？

[modal_soul]

すごい、と思いつつも、上がった性能も削減した電力もマイニングに使われるのかな、と思うと虚無を感じる

[six13]

ソニーのイメージセンサーも垂直方向の積層の実用化でニュースになってたし、なにか生産方法での改革があったのかな。

[millfi]

AMDは上にキャッシュを積層しただけで垂直トランジスタ設計とはまた違うのでは

[renos]

平面魔法陣を立体魔法陣にするやつだ！！

[e_denker]

ムーアの法則「もう休ませて」

[NOV1975]

それまでにどうせOSとアプリが消費する電力も2倍以上になるんでしょ。

[goodstoriez]

“新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。”

[ROYGB]

ハードディスクも垂直磁化方式で容量密度をアップしたし、これもトランジスタが小型化することによる電力軽減なのかなあ。

[quick_past]

期待

[daruyanagi]

実用化してから喜ぶことにするｗ

[karaageoisii1]

3Dモデルだと既存のfetのほうが面積小さそう

[furan]

どうやってCAD描いたら良いのかさっぱりわからんな…/スマホの消費電力のかなりの部分がディスプレイだから、まずそちらを何とかしないと厳しいと思う。

[hiroomi]

“トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。”

[nisisinjuku]

数年先にはコモディティ化してたりなｗ

[RySa]

これはNanosheetとForksheetとか（https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2007/07/news024_2.html）の技術ですね。製造装置とか科学材料とか巨額の研究開発費用がかかるので、東大だけが頑張っても逆転は難しいと思います。

[tomono-blog]

クロ現で、日本が先の先を先取りするって言ってたけど、もうできとるやないけ。

[coco7t]

NHKのクロ現で東大が３D半導体を次世代の半導体として作るとやっていたが同じものか

[hope_ring]

IBMはこういうブレイクスルーな技術を定期的に出すよね。すごい

[bluescreen]

ソース電極の上にある活性層は何が材料なのかな。基板のシリコンではないとなると成膜したもの？結晶性とか電子移動度が気になるけど、正直、試作品が出るまで忘れていい話題かも。

[honma200]

Apple「よし、そうか💵とりあえず、3年はウチ独占な」

[daruism]

今のスマホの消費電力はディスプレイのほうがデカいのでSoCの消費電力がどれだけ減ろうと充電週１なんて絶対無理。机上の計算だわこんなん

[n_231]

ガラケー週一充電してた時代が懐かしい

[p260-2001fp]

ブコメには技術的解説なし

[kachine]

元英文記事のFig4とFig5を見比べると横方向に高密度実装できる(から高性能になる)ってのは想像付くけど、この構造にすると漏れ電流が減るとか容量成分が減るってのは直感的には解らん。ちゃんとした解説記事読みたい。

[ledsun]

なんもわからん。すごそう

[ys0000]

85%というのを理想値として話半分に考えても60%は節約できそうな凄い話だな。まぁ、バッテリー減らして軽くさせるだろうから、スマホ充電が1週間になることはないだろう。せいぜい3日間くらい。

[reform-myself]

ムーアの法則というペースメーカー

[yamadar]

スマートウォッチ等のウェアラブルデバイスや、ドローンなど飛行物での恩恵が大きそう。実用化が楽しみ。

[tagomoris]

夢しかないのでがんばってほしい

[gcyn]

『ムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性／パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減／実用化はまだ数年先になりそうだが、IBMは5月には、2nmのノードチップ設計を発表』

[tattyu]

AppleWatchが6倍電池が持つようになったらまじで使いやすくなると思う。この手の定期的に発表されるけど今回はいかほどか。

[KQwYB1pi]

「IBMはSamsungとの強力」❌

[estragon]

“米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られて

[k146]

「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」→85%減って凄すぎる…あらゆるバッテリーを使うデバイスの使い方に革命が起きそう。実用化はまだ先との事だけど、楽しみだ。