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積層構造以来、半導体界隈はそんなのどうやってエッチングプロセスで作るのというのばかりだわ。//AMDはあくまで電流は横方向の色々な素子を多段化、これは電流方向自体が垂直にした全く違う構造ではないか?
augsUK のブックマーク 2021/12/16 12:39
IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」積層構造以来、半導体界隈はそんなのどうやってエッチングプロセスで作るのというのばかりだわ。//AMDはあくまで電流は横方向の色々な素子を多段化、これは電流方向自体が垂直にした全く違う構造ではないか?2021/12/16 12:39
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www.itmedia.co.jp2021/12/16
米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチ...
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積層構造以来、半導体界隈はそんなのどうやってエッチングプロセスで作るのというのばかりだわ。//AMDはあくまで電流は横方向の色々な素子を多段化、これは電流方向自体が垂直にした全く違う構造ではないか?
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IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
www.itmedia.co.jp2021/12/16
米IBMは12月14日(現地時間)、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」(VTFET)と呼ぶ新たな設計アプローチ...
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