【イベントレポート】【IRPS 2011レポート】 NANDフラッシュメモリの基本動作と不良モード

暮らしカテゴリーの変更を依頼記事元:

pc.watch.impress.co.jp

39 usersがブックマークコメント

コメント

5

記事へのコメント5件

注目コメント
新着コメント

ytkibk “同じビット線につながったセル・トランジスタの数は製品によって異なり、通常は32個あるいは64個である。これを「ストリング(String)」と呼ぶ。 ”

2020/10/16 リンク

kotak メモリ・セル・アレイの不良モードなど

2013/01/17 リンク

deep_one 「SLCタイプのフラッシュメモリで保証するデータ保持期間は、最大で10年間である。また高温下では、データ保持期間は短くなる。」

2011/04/21 リンク

RELHAM かなり専門的な話。回路を微小化するということは、こういう現象への対応が必要になるということ。

PC

2011/04/21 リンク

labunix 【PC Watch】【IRPS 2011レポート】NANDフラッシュメモリの基本動作と不良モード

2011/04/21 リンク

注目コメント算出アルゴリズムの一部にLINEヤフー株式会社の「建設的コメント順位付けモデルAPI」を使用しています

規約違反を報告

アプリのスクリーンショット

いまの話題をアプリでチェック！

バナー広告なし
ミュート機能あり
ダークモード搭載

アプリをダウンロード

関連記事

【イベントレポート】【IRPS 2011レポート】 NANDフラッシュメモリの基本動作と不良モード

ブックマークしたユーザー

ytkibk2020/10/16
afternoonteeee2014/04/22
sagar2013/09/09
kotak2013/01/17
nao5502011/05/02
shunmatsu2011/04/25
ni66ling2011/04/24
wata882011/04/21
Lark_mp2011/04/21
iqm2011/04/21
comzo2011/04/21
deep_one2011/04/21
vcc2011/04/21
yoshida2612011/04/21
craf2011/04/21
taninsw2011/04/21
sucelie2011/04/21
YaSuYuKi2011/04/21

同じサイトの新着

同じサイトの新着をもっと読む

いま人気の記事

いま人気の記事をもっと読む

いま人気の記事 - 暮らし

いま人気の記事 - 暮らしをもっと読む

新着記事 - 暮らし

新着記事 - 暮らしをもっと読む

設定を変更しましたx