産総研：世界最小の電気抵抗値の大電力用炭化ケイ素（SiC）半導体素子を開発

炭化ケイ素（SiC）結晶のカーボン面上に大電力用半導体素子（IEMOS）を形成して動作時の電気抵抗値1.8mΩcm2を達成 シリコンパワー素子と比較して動作時の電力損失は１０分の１以下 IHヒーター、エアコン、パソコンサーバー等の家庭用電化機器の省エネルギー化が促進 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）パワーエレクトロニクス研究センター【センター長 荒井 和雄】は、炭化ケイ素（SiC）半導体のカーボン面にIEMOS（Implantation and Epitaxial MOSFET）と呼ばれる素子を形成する技術を開発した。 SiCは大電力を制御できるので次世代の省エネルギーパワー素子として期待されている。産総研は以前IEMOSの開発に成功し当時世界最小の電気抵抗4.3 mΩcm2を実現していたが、今回SiC結晶のカーボン面にIEMOSを形成すること