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磁場をかけるだけで電気抵抗が25,000%も変化する 「巨大磁気抵抗スイッチ効果」を実現 ―機能性デバイス実現に向けて新たな原理を開発―
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磁場をかけるだけで電気抵抗が25,000%も変化する 「巨大磁気抵抗スイッチ効果」を実現 ―機能性デバイス実現に向けて新たな原理を開発―
プレスリリース 研究 2024 2024.03.13 磁場をかけるだけで電気抵抗が25,000%も変化する 「巨大磁気抵抗... プレスリリース 研究 2024 2024.03.13 磁場をかけるだけで電気抵抗が25,000%も変化する 「巨大磁気抵抗スイッチ効果」を実現 ―機能性デバイス実現に向けて新たな原理を開発― 発表のポイント ◆ 強磁性体と酸化物の2層からなる電極をもつ半導体ナノチャネル素子を作製し、磁場をかけるだけで抵抗が25,000%変化する巨大な磁気抵抗スイッチ効果を実現しました。 ◆ 酸化物層内の欠損にはスピンの向きの揃った正孔が束縛されており、隣接する欠損の正孔とつながることで強磁性の導電性フィラメントが形成されます。ここに磁場をかけると正孔の波動関数が収縮し導電性フィラメントが切れます。これが巨大磁気抵抗スイッチ効果の有力な起源と考えられます。 ◆ 本研究成果は従来別々に研究されてきた抵抗スイッチ効果とスピントロニクス分野を結ぶもので、新たな機能性デバイスの実現につながるものと期待されます。 巨
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