SiCの置き換え狙う縦型GaNデバイス、実用化に向けていよいよ動き出す

高速動作可能な縦型JFET、650V耐圧品が実現し次は1200V耐圧品に挑戦 パナソニックHDが開発しているp-GaNゲート構造の縦型JFETでは、ゲート周辺部をp-GaN/AlGaN/GaN構造とすることにより、ノーマリオフと低オン抵抗を可能にしている（図1）。電流が流れる経路の一部にHEMTのチャネルと同様の2次元電子ガス（2DEG）が形成される。このため、オン抵抗を低減しやすく、高速動作にも向く。スイッチング周波数の高い電源回路やモーター駆動回路に適用することで、電力効率を高めながらコイルなど回路を構成する部品の小型化を実現することが可能になる。 また、ゲート部のp-GaNを利用して電流ブロック層端部にかかる電界を緩和し、リーク電流を低減する工夫もしている。試作したデバイスのうち、10A仕様のデバイスでは、しきい値電圧1.5V、RonA=1.7mΩcm2、破壊耐圧 600V 以上の特