NANDゲートをトランジスタで作る
ウィキペディアにある TTL 型 NAND ゲートの等価回路です。 入力 A 、B のどちらか、あるいは両方が Low のとき、R1 から VT1 へベース電流が流れて ON になり、VT2 のベースが Low になって、出力 Q は High になります。 入力 A 、B の両方が High になると、VT1 のベースからコレクタへ電流が流れます。逆トランジスタという状態ですね。 このとき、逆にエミッタからコレクタへも電流が流れます。コレクタ電流は VT2 のベースに流れ込み、VT2 が ON 、出力 Q は Low になります。 真理値表を作ってみると左表のようになります。NAND になっていますね。 入力のエミッタが二つあるマルチエミッタトランジスタは、二つのトランジスタで置き換えることができますから、このままトランジスタで作ることができそうです。 出力段は、インピーダンスを小さくす
スピントランジスタの実現に向けて酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調の実現に成功 ―ナノスケール相転移技術の応用に向けた新たな可能性―
プレスリリース スポットライト 研究 2023 2023.05.31 スピントランジスタの実現に向けて酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調の実現に成功 ―ナノスケール相転移技術の応用に向けた新たな可能性― 発表のポイント ◆スピントランジスタの基本となる強磁性体／半導体／強磁性体構造からなる横型2端子素子を単結晶酸化物を用いて作製することにより、従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比を得ることに成功しました。ゲート電圧による電流変調にも成功しました。 ◆一般的な半導体と強磁性金属を組み合わせた従来のスピントランジスタ素子では、磁気抵抗比は最大で1～10%にとどまっており、実用上必要な100%には到達していませんでした。 ◆本研究では、酸化物を用いることにより高品質の単結晶界面を実現できたことなどが、大きな磁気抵抗比の実現につながったものと考えられます。 研究グループが作製した単結晶酸化物スピント
真空管とトランジスタの仕組み
メディアの発達で、ひとは１日中誰とも会話をする事無く暮らせますが、 実はメディアを構成する電子部品自体、非常に多くの科学者や物理学者が送るメッセージなのです。 この別冊では代表的な真空管とトランジスタのイメージを、感じていただきます。 「 真空管とトランジスタのイメージ 」 真空管もトランジスタも電圧や電流を増幅するためにあります。増幅とは小さな力で大きな動きをコントロールすることです。 例えば業務用水道管の水は勢いが強く、とても手で止められませんが、バルブ（蛇口）をつければ手で止められます。 通常バルブは手で操作しますが、これを水で操作できるようにしたら、大きな水の動きを小さな水の力でコントロールした、 つまり水の流れの増幅になります。 ちなみに真空管を英語で「バキュームチューブ」とは別に「バルブ」と呼ぶのは、こうした動作から来ているのです。 真空管やトランジスタも同じような機能があって
リニア・テック 別府 伸耕 on Twitter: "トランジスタを1738個はんだ付けしてCPUをまるごと作る地獄のキットを買われた方がいるようです．ありがとうございます！ 自分が試作したときは7日間かかりました（他の仕事を何もしない場合）． ぜひロボット部分のシャーシも組み立てて… https://t.co/PZ72cHgqY8"
トランジスタを1738個はんだ付けしてCPUをまるごと作る地獄のキットを買われた方がいるようです．ありがとうございます！ 自分が試作したときは7日間かかりました（他の仕事を何もしない場合）． ぜひロボット部分のシャーシも組み立てて… https://t.co/PZ72cHgqY8
フィンFET（FinFET）の次に来るトランジスタ技術：福田昭のデバイス通信（303） imecが語る3nm以降のCMOS技術（6）（1/2 ページ） FinFETが限界に近づく3nm世代のCMOSロジック 半導体のデバイス技術とプロセス技術に関する世界最大の国際学会「IEDM（International Electron Devices Meeting）」は、「チュートリアル（Tutorials）」と呼ぶ技術講座を本会議（技術講演会）とは別に、プレイベントとして開催してきた。2020年12月に開催されたIEDM（Covid-19の世界的な流行によってバーチャルイベントとして開催）、通称「IEDM2020」では、合計で6本のチュートリアル講演が実施された。その中で「Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm an
次期iPad Proにはトランジスタ数が100億個を超えるA13Xシステム・オン・チップ（SoC）が搭載されるとの情報が、ファウンドリに関する報道の中で取り上げられました。 Aシリーズのファウンドリとトランジスタ数 A13Xは、2020年3月6日付けのUnited Daily Newsの報道の中で取り上げられました。今回の報道は主に、世界最大規模の半導体製造ファウンドリである、TSMCの高度な研究開発能力を取り上げています。 また、iPhoneやiPadシリーズに搭載されているAシリーズチップは、搭載するトランジスタ数が2013年以降、年率43%づつ増加していること、そしてTSMCがその成長の一翼を担ってきたことも伝えられています。 A13とA13Xのトランジスタ数に関する報道内容 iPhone11シリーズが搭載するA13チップは、TSMCの7nmプロセスで製造されており、トランジスタ数は
トランジスタの動作原理はイメージで実感しよう | 技術コンサルと技術者教育の「テクノシェルパ」（Techno Sherpa）
【 トランジスタの動作原理をイメージで実感しよう 】 初学者にとっては、トランジスタの動作原理は少しとっつきにくいと感じられるかもしれません。 そんなときは、まずはイメージで理解してから正確な知識を得るための学習をすることが助けになると思います。 例えば、MOS FETやMES FETなどの所謂ユニポーラ系トランジスタの動作は、水門が水の流れを制御しているイメージがぴったり当てはまります。 そのような図を頭に浮かべて理解することがお勧めです。 トランジスタの「ソース」は「貯水池」、「ゲート」は「水門」、「ドレイン」は「排水口」と置き換えてイメージするのです。 と言いますか、トランジスタのそれぞれの電極の名前は正にそのイメージでつけられているのですね。 貯水池（ソース＝Source、源）に溜まっている水（電子/ホール）が水路を通って流れ出ようとしている途上に水門（ゲート=Gate）があり、こ
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フィンFET（FinFET）の次に来るトランジスタ技術
次期iPad Proはトランジスタ数が100億個を超えるA13Xを搭載 - iPhone Mania