米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。 VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」という。
「ムーアの法則」をさらに加速！ Intelが2020年代後半に「ガラス基板」のCPUを実用化 1兆個のトランジスタの集積を目指して
Intelは9月18日、CPU製品の基板について、2020年代後半から有機素材に代わってガラス素材を採用することを発表した。「（半導体）業界が2030年以降も『ムーアの法則』を推進するため」の取り組みで、より高密度かつ高性能な半導体の実現につながるものと考えられる。
ICを一切使わず、MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)とLEDを含むダイオードだけで構成されたフルディスクリートの「CPU1738」が、ロボットのシャーシと合体し、自動で方向転換して走り回るムービーがTwitterで評判となっています。 トランジスタを1738個はんだ付けしてCPUをまるごと作る地獄のキットを買われた方がいるようです．ありがとうございます！ 自分が試作したときは7日間かかりました（他の仕事を何もしない場合）． ぜひロボット部分のシャーシも組み立てて「走り回るCPU」を作ってください．https://t.co/wKYtabGXHO pic.twitter.com/2X6WYbc1mp— リニア・テック 別府 伸耕 (@linear_tec) このツイートはリニア・テック代表の別府伸耕さんによるもの。ツイートにもあるように、「CPU1738」を自作するキットを購
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IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
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