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過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場 : PCパーツまとめ
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過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場 : PCパーツまとめ
2019年08月10日18:02 過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場 カテゴリSSD 866: Socket7... 2019年08月10日18:02 過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場 カテゴリSSD 866: Socket774 (ワッチョイ 05c1-X5Lh) 2019/08/09(金) 17:59:11.54 ID:J8cikJPi0 QLC超えてPLCの時代キター 過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場 ~セル分割の駆使や800層積層も視野に 3D NANDフラッシュメモリ(3D NANDフラッシュ)の高密度化技術が過激さを増している。3D NANDフラッシュの高密度化と大容量化は、メモリセルを垂直方向に積層(3次元積層)する数(ワード線の積層数)を増やすことより、おもに実現されてきた。この3次元積層技術と、多値記憶技術(1個のメモリセルに複数のビットを記憶する技術)を組み合わせることで、極めて大きな記憶容量のシリコンダイを実現してい