SSDの速度を11倍向上、書き換え回数を6.9倍向上、電力を93%削減。ReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドSSDシステムを開発。6月にハワイで開催されるVLSI Circuit 2012で発表します。 - 竹内研究室の日記

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SSDの速度を11倍向上、書き換え回数を6.9倍向上、電力を93%削減。ReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドSSDシステムを開発。6月にハワイで開催されるVLSI Circuit 2012で発表します。 - 竹内研究室の日記

6月にハワイで開催される、半導体ではISSCCに次ぐトップ学会、Symposium on VLSI Circ uitsに論文が採択... 6月にハワイで開催される、半導体ではISSCCに次ぐトップ学会、Symposium on VLSI Circ uitsに論文が採択されました。 ReRAMといった新メモリとフラッシュメモリを組み合わせたハイブリッドSSDのコントローラー技術です。 SSDのコントローラー技術、メモリを制御するシステムを開発し、速度を11倍向上、書き換え回数を6.9倍向上、電力を93%削減。卒論で優秀論文賞を受賞した藤井君が発表します。学部生だって、できるやつは、できるのです。 Session 16 – Flash Memory Friday, June 15, 8:05 a.m. 16.3 - 8:55 a.m. "x11 Performance Increase, x6.9 Endurance Enhancement, 93% Energy Reduction of 3D TSV-Integrated