北大、理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスタを開発

北海道大学(北大)は6月13日、半導体中のトンネル効果を用いることで、従来のトランジスタの理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスタを開発したと発表した。 成果は、JST 課題達成型基礎研究の一環として、JST さきがけ専任研究者 冨岡克広氏、北海道大学 大学院情報科学研究科 福井孝志 教授らによるもの。 半導体は、構成要素のトランジスタを小さくし集積度を増やすことで、性能を高めてきたが、トランジスタをさらに小さくすることに限界がきている。トランジスタを小さくすると、スイッチに使用しない電流が漏れ出すリーク電流が大きくなるためで、現在では、トランジスタ構造を平面から立体的な構造にすることでリーク電流を抑制し、性能を高める手法が取られている。さらに、小さな電圧でシリコンよりも電流が流れやすい材料などの導入も検討されているが、これらの技術はいずれも限界が訪れる。トランジスタのサブスレッショル