パワー半導体への採用加速…6インチ酸化ガリウム単結晶、ノベルクリスタルテクノが作製成功 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社

ノベルクリスタルテクノロジー（埼玉県狭山市、倉又朗人社長）は、パワー半導体の基板となる１５０ミリメートル口径（６インチ）β型酸化ガリウム（β―Ｇａ２Ｏ３）単結晶の作製に成功した。基板の大口径化や高品質化の実現に貢献し、パワー半導体へのβ―Ｇａ２Ｏ３の採用を加速させる。単結晶は、るつぼと同じ形の結晶が得られる垂直ブリッジマン（ＶＢ）法で作製。従来の方法であるＥＦＧ法よりも基板に加工する際に不要となる部分を減らせ、低コスト化につながる見通しだ。 β―Ｇａ２Ｏ３を用いたパワー半導体を広く普及させるには、基板の大口径化が不可欠で、単結晶の大型化も必要だった。ＶＢ法によるβ―Ｇａ２Ｏ３単結晶育成技術は信州大学が発案し、開発を進めている。ノベルクリスタルテクノロジーは信州大から育成技術を継承し、６インチの単結晶の作製に成功した。 同社は板状の結晶を育成できるＥＦＧ法で単結晶を作る技術を開発済み。産業技