TSMCがリスク量産間近の16nm世代プロセス技術を発表、FinFETを導入台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）は、2013年末までに少量生産（リスク量産）を始める16nm世代のプロセス技術を発表した（講演番号9.1）。モバイル機器やコンピューティング機器用のSoC（system on a chip）向けで、同社として初めて立体トランジスタ（FinFET）を導入した。28nm世代プロセス（high-kゲート絶縁膜/メタル・ゲート版）に比べてトランジスタの集積密度は2倍に高まり、トランジスタの動作速度を35％向上または消費電力を55％低減できるという。 TSMCは現在、20nm世代プロセス（20SOC）をリスク量産中で、続く16nm世代プロセスについても近くリスク量産を始める。16nm世代プロセスではSRAMやリングオシレータ、さらには英ARM社のプロセサ・コア「Cortex-A57」を載せたテスト
