反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証に成功

同研究では、ダイヤモンドを成長させる手法の1つである「マイクロ波プラズマ化学気相成長法」によるn型ダイヤモンド半導体の高品質化、ウエットアニールによる酸化膜とダイヤモンド界面の高品質化を行った。これにより、反転層チャンネルダイヤモンドMOSFETを作製（図1）し、その動作実証に成功している。 作製したMOSFETの動作を調べると、ゲート電圧をかけていないときはゲート電流も検出限界以下（ノーマリーオフ特性）であり、ゲートにかける負電圧を大きくすると、MOS界面のn型ダイヤモンド半導体に空乏層が広がり、さらに負電圧を大きくすると少数キャリアの正孔がドレインソース領域から流れ込むことで反転層チャンネルが形成され（図1右下）、ドレイン電流が流れることが明らかになった。その結果、ドレイン電流の理想的な飽和特性（図2）、高いON／OFF比を確認したとする。 同研究グループは「今後、応用に必要な大電流化