DRAM各社のプロセスを比較、さらなる微細化は可能かDRAMは、幾度となく「微細化はもう限界」だと言われてきた。だが、メーカー各社は2Xnmや1Xnm世代のDRAMの実現に向けて試行錯誤を繰り返し、成果を出し始めているという。 かつて、DRAMのメモリーセルの微細化は30nmで壁に突き当たると予想されていた。だが、大手DRAMメーカー各社が現在適用している最先端のDRAMセル技術を詳細に分析すると、2Xnmや1Xnmノードの実現に向けて技術が進歩していることが分かる。 TechInsightsは、大手DRAMメーカーのSDRAMのセルアレイ構造を分析し、各社が採用するプロセス技術やデバイス構造に関する報告書を発表した。同報告書は、Samsung ElectronicsやSK-Hynix、Micron Technology/Nanya Technology、エルピーダメモリが量産する、3Xnmプロセス技術を適用したSDRAMを対象とし、「DR
