EV向けインバーター、次世代材料「窒化ガリウム」がSiCを置き換える

次世代パワー半導体「窒化ガリウム」の決定打、縦型の実用化なるか 三菱ケミカル、高品質・大口径のGaN自立基板を実現へ 物性面で炭化ケイ素（SiC）よりもパワー半導体への適性が高いとされる窒化ガリウム（GaN）の社会実装を加速するためには、縦型GaNデバイスの実用化が欠かせない。そのためにはGaN on GaNの構造を実現するための、結晶品質が高いGaN自立基板が必須になる。 2024.03.18 SiCの置き換え狙う縦型GaNデバイス、実用化に向けていよいよ動き出す 窒化ガリウム（GaN）ベースの縦型パワーデバイスの開発が、社会実装に向けて着実に前進している。現時点ではシリコンカーバイド（SiC）ベースのパワーデバイスの応用が想定されている、電気自動車（EV）のトラクションインバーター（主モーターの駆動回路）などの高耐圧・大電流の応用に適用可能なデバイスである… 2024.03.11

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窒化ガリウム（GaN）の進歩により、EVのトラクションインバーター性能が向上することは、自動車業界における次の大革命だ。