開発担当が語る、ソニーの2層トランジスタ画素積層型CIS
開発担当が語る、ソニーの2層トランジスタ画素積層型CIS：車載イメージセンサー事業の歴史も（1/2 ページ） ソニーセミコンダクタソリューションズ（以下、SSS）は2022年1月25日、グループ理念や事業活動について紹介するイベント「Sense the Wonder Day」をオンラインで開催した。イベントでは、同社が前年12月に発表した「2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術」について開発担当者が説明したほか、車載事業の創業メンバーが車載事業の歴史を語るなどした。 ソニーセミコンダクタソリューションズ（以下、SSS）は2022年1月25日、グループ理念や事業活動について紹介するイベント「Sense the Wonder Day」をオンラインで開催した。イベントでは、同社が前年12月に発表した「2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー（CIS）技術」について開発担
東芝に聞く、データセンター向けニアラインHDDの最新技術動向とこれから - EE Times Japan
IoT（モノのインターネット）に象徴されるように、インターネット／クラウドサービスに接続される機器は増え続けています。それに伴いインターネット上のデータ量は爆発的に増え、データを格納するハードディスクドライブ（HDD）の需要も継続して拡大しています。データセンターなどで使用されるニアライン向けHDDもその一つで、より大きな容量のデータを記録できるHDDを目指し、技術革新が目覚ましく起こっています。今回は、ニアラインHDDを手掛ける東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝）のHDD営業推進部長 藤森将文氏と、HDD製品の設計開発を担当する佐藤巧氏に、ニアラインHDDの最先端技術について、今後の展望を交えて聞きました。 ニアラインHDDで常に求められる『容量』 ――クラウドサービスが普及する中で、HDDの需要はどれくらい拡大していくのでしょうか。データセンター向けHDDで求められている技術要件とは
本格的に立ち上がり始めた、GaN採用の充電器市場
本格的に立ち上がり始めた、GaN採用の充電器市場：「GaNFast」はノートPCにも（1/2 ページ） GaN採用の充電器市場が立ち上がる NavitasのGaNソリューション「GaNFast」は、充電システムに適用することで、シリコンコンポーネントを採用した既存品に比べ、最大100倍の高速化と、5倍の高密度化、40％の低消費電力化、20％の製造コスト削減を実現することができるという。このため、スマートフォンの再充電を大幅に高速化することも可能だ。 GaNパワーデバイスを採用した充電器が市場に投入されたのは、AnkerやAukey、RAVpowerなどのメーカーが、アフターマーケットにおいて24～65Wの充電器を提供した、2018年半ばから後半にかけてのことだ。2019年には、さまざまなアクセサリーが追加投入されるようになり、現在ではSamsung ElectronicsやVerizon、
大真空、高安定で低消費電力の小型OCXOを開発
コア部に小型水晶デバイス「Arkh.3G」を搭載 大真空は2020年9月、5G（第5世代移動通信）基地局用装置などに向けて、小型で消費電力が小さいOCXO（恒温槽付水晶発振器）「DC7050AS」を開発したと発表した。2020年12月以降にもサンプル出荷を始める。 5Gシステムは、従来に比べて高い周波数帯を用いるため、広範な通信エリアをカバーするには、膨大な数の基地局を設置する必要がある。基地局用装置に搭載するタイミングデバイスとしては、TCXO（温度補償水晶発振器）に比べ、高い安定性と低消費電力を可能にする小型のOCXOが注目されている。ただ、現行のOCXOだと熱容量や放熱量が大きく、消費電力が増えるなど課題もあった。 新製品は、コア部に小型の水晶デバイス「Arkh.3G」を用いた。Arkh.3Gは、独自の接合技術「Fine Seal」を用い、3層の水晶ウエハーを貼り合わせたWLP構造と
5Gの導入で変わる？ RFチップの材料
「Mobile World Congress（MWC） 2020」の中止にもかかわらず、特に5G（第5世代移動通信） RFのフロントエンドモジュールでシリコン性能の限界に到達しつつあるエレクトロニクス企業の中で、5Gの追及は時間単位でより劇的に高まっている。 5G向け部品で注目が高まるSi代替材料 「Mobile World Congress（MWC） 2020」の中止にもかかわらず、特に5G（第5世代移動通信） RFのフロントエンドモジュールでシリコン性能の限界に到達しつつあるエレクトロニクス企業の中で、5Gの追及は時間単位でより劇的に高まっている。 シリコンにとって代わる材料の候補には、窒化ガリウム（GaN）、ガリウムヒ素（GaAs）、炭化ケイ素（SiC）の他、フィルターの改良に用いられている圧電物質がある。GaAsは4Gならびに5Gスマートフォンのパワーアンプに用いられてきた。GaN
用途別に進化するチップ抵抗器
用途別に進化するチップ抵抗器：福田昭のデバイス通信（228） 2019年度版実装技術ロードマップ（38）（1/2 ページ） 今回は、表面実装型抵抗器の主流である「チップ抵抗器」を取り上げる。チップ抵抗器の進化の方向性は大きく「小型化」「高放熱化」「耐硫化」の3つがある。それぞれについて解説する。 表面実装型のチップ抵抗器が抵抗器の主流 電子情報技術産業協会（JEITA）が発行した「2019年度版 実装技術ロードマップ」に関する完成報告会（2019年6月4日に東京で開催）と同ロードマップの概要をシリーズでご報告している。今回はその第38回である。 本シリーズの第31回から、第4章「電子部品」の概要を説明している。第4章「電子部品」は、「4.1 LCR部品」「4.2 EMC対策部品」「4.3 センサ」「4.4 コネクタ」「4.5 入出力デバイス」の5つの節に分かれる。第33回から第37回（前回
「Mate 30 Pro」でHuaweiが見せた意地？ 米国製チップの採用が激減
2019年は米中貿易摩擦の問題がエレクトロニクス業界に大きな影響を及ぼした1年であった。関連する企業では、サプライチェーンの変更や仕様の見直しなどを迫られた。影響の大小はあれども、さまざまなベンチマークが各社で行われただろう。弊社は、半導体以外の分野（半導体のみならず）でも、複数の企業のコンサルタントやセミナーなどを行っているが、2019年を通じて依頼が最も多かった内容の一つが、中国の動向であった。 現在弊社では平均すると毎週8機種程度の中国製品を入手し（大半は輸入）、分解と解析を行っている。今回は米中問題を代表するHuaweiのスマートフォンを取り上げる。 “米中合作”だった「Mate 20 Pro」 図1はちょうど1年前、2018年第4四半期に発売されたHuaweiの当時の最上位スマートフォン「Mate 20 Pro」の外観と、裏パネルを外した全体の様子、基板を取り出した様子、そしてカ
SiCの競争が激化、ウエハー供給不足は解消に向かう？
SiCパワー半導体には、引き続き高い関心が寄せられている。SiCウエハーの供給不足を懸念する声がある一方で、解消に向かっているとの見方もある。 SiC（シリコンカーバイド）は、半導体材料として、特に効率の面で非常に優れた性質を備えているが、自然環境の中では極めて希少な存在だ。SiCは、材料として最初に発見された時、隕石の中にごく微量のみ含まれているという状態だったことから、「46億年にわたる長旅を経てきた半導体材料」と呼ばれることもある。 フランスの市場調査会社Yole Développement（以下、Yole）は、最近発表したレポート「Power Silicon Carbide (SiC): Materials, Devices and Applications - 2019 Edition（パワーSiC：材料／デバイス／アプリケーション：2019年版）」の中で、「SiCパワー半導体向
LDOで“コンデンサー不要”に、ロームの「NanoCap」
LDOで“コンデンサー不要”に、ロームの「NanoCap」：DC-DCの電流モード制御を応用（1/2 ページ） ロームは、出力コンデンサーを使わなくても電源ICを安定動作させる技術「Nano Cap」を開発した。まずはリニアレギュレーター（LDO）に適応する「Nano Cap LDO」として商品化を目指している。 1μF未満の小型コンデンサーが使える ロームは、出力コンデンサーを使わなくても電源ICを安定動作させる技術「Nano Cap」を開発した。まずはリニアレギュレーター（LDO）に適応する「Nano Cap LDO」として商品化を目指している。 ロームがNano Capを開発した背景には、世界的なコンデンサー不足がある。産業機器や民生機器だけでなく、電動化が進む自動車にも大量のコンデンサーが使われるようになっている。特に電気自動車（EV）では1台当たり1万個ものコンデンサーが必要にな
IGBTとIPM主軸に売上高2000億円超へ、大型投資も実施
人口増加や経済成長、テクノロジーの発展に伴って世界のエネルギー消費量が増加を続けるなか、省エネ化／低炭素社会のキーデバイスとなるパワー半導体に注目が集まっている。今回、IGBTをはじめとするパワー半導体の主要メーカー、三菱電機の執行役員、半導体・デバイス第一事業部長、山崎大樹氏に話を聞いた。 552億円の設備投資で能力拡大 ――業績の振り返りをお願いします。 三菱電機のパワーデバイス事業については、2017年度から2022年度までの年平均売上高成長率を10％とし、2022年度の売上高目標を2000億円と定めている。2018年度の売上高は約1400億円と好調だった。今後、年平均成長率10％程度の成長を維持できれば、2022年度に目標の売上高2000億円を上回ることになる。 ――好調の要因はどのように分析されていますか。 背景としては、自動車の電動化、電気自動車向けの需要が当初想定していたより
村田製作所、MLCC増産へ無錫に新生産棟建設 - EE Times Japan
村田製作所は2018年11月、中国の生産子会社「無錫村田電子有限公司」（江蘇省無錫市）に新生産棟を建設すると発表した。積層セラミックコンデンサー（Multi-Layer Ceramic Capacitor：MLCC）の生産能力を増強する。管理棟とエネルギー棟も併せて建設する。投資総額は建屋のみで約140億円となる。 新たに建設する生産棟は、鉄筋コンクリート造り4階建て、延べ床面積は約9万5000m2で、2019年12月の完成を予定している。管理棟は鉄筋コンクリート造り5階建て、延べ床面積は約1万5700m2。エネルギー棟は鉄筋コンクリート造り3階建て、延べ床面積は約1万6600m2である。 無錫村田電子有限公司は、1994年12月に設立された。現在、セラミックコンデンサーなどの製造を行っている。 関連記事 村田製作所、MLCC増産に向け新生産棟を建設 村田製作所は2018年6月8日、同社生
「光トランシーバー」は光伝送技術の凝縮
今回から、光トランシーバーについて解説する。データセンター、コンピュータや工場内ネットワークで使用される８０ｋｍ程度以下の中短距離光リンクを中心に、ストレージ、ワイヤレスやアクセス通信ネットワークなど、多様なアプリケーションで使用されている光トランシーバーを紹介する。 光ネットワークの重要なコンポーネントの一つが光トランシーバーだ。今回から始まる新シリーズでは、光トランシーバーについて解説したい。光トランシーバーには光伝送技術が凝縮されている。それを知ることで光伝送技術への理解がさらに深まるだろう。 ここでは、データセンター、コンピュータや工場内ネットワークで使用される80km程度以下の中短距離光リンクを中心に、ストレージ、ワイヤレスやアクセス通信ネットワークなど多様なアプリケーションで使用されている光トランシーバーを紹介する。技術課題や将来動向の他、技術者を悩ませることがある光トランシー
クロスポイント化に期待がかかる抵抗変化メモリ（ReRAM）
クロスポイント化に期待がかかる抵抗変化メモリ（ReRAM）：福田昭のストレージ通信（151） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（12）（1/2 ページ） 抵抗変化メモリ（ReRAM）の記憶原理 2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。 なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。 前々回と前回は、
磁気抵抗メモリ（MRAM）の技術動向と製品動向
磁気抵抗メモリ（MRAM）の技術動向と製品動向：福田昭のストレージ通信（150） 半導体メモリの技術動向を総ざらい（11）（1/2 ページ） 磁気抵抗メモリ（MRAM）の製造技術は22nm世代まで微細化 2018年8月に米国シリコンバレーで開催された、フラッシュメモリとその応用製品に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」でMKW Venture Consulting, LLCでアナリストをつとめるMark Webb氏が、「Annual Update on Emerging Memories」のタイトルで講演した半導体メモリ技術に関する分析を、シリーズでご紹介している。 なお講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。あらかじめご了承されたい。 前回は
主力のSiC製品を順調に拡充、インフィニオン
Infineon Technologies（以下、Infineon）は、ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2019」（2019年5月7～9日）で、パワーモジュールの新パッケージ「Easy 3Bパッケージ」や、TO247-2パッケージの1200V SiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）を発表し、主力のパワーデバイスを順調に拡充していることをアピールした。 Infineonは2019年5月7日（ドイツ時間）に、2019年度第2四半期（2019年1～3月期）の業績を発表したばかりだ。InfineonのIndustrial Power Control（IPC）部門でプレジデントを務めるPeter Wawer氏は、PCIM Europeの会期中に行った記者説明会で、「パワーデバイスは需要が高く、IPCは2013年度から2018年度にかけ
車載インバーターのSiC採用、2021年以降に活発化
車載インバーターのSiC採用、2021年以降に活発化：PCIM Europe 2019でロームが講演（1/3 ページ） ドイツ・ニュルンベルクで毎年5月ないし6月に開催されるパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe」において、年々存在感が高まっているのが、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド自動車（PHEV）向けのパワーエレクトロニクス技術の紹介に特化したブース「E-Mobility Area」である。 ドイツ・ニュルンベルクで毎年5月ないし6月に開催されるパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe」において、年々存在感が高まっているのが、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド自動車（PHEV）向けのパワーエレクトロニクス技術の紹介に特化したブース「E-Mobility Area」である。3年前に初めて設けられて以来、毎回多くの来場者を引き付けるエリアと
10nmで苦戦するIntel、問題はCo配線とRuバリアメタルか
10nmで苦戦するIntel、問題はCo配線とRuバリアメタルか：湯之上隆のナノフォーカス（9）（1/5 ページ） Intelは2016年以降、今日に至るまで、10nmプロセスを立ち上げることができていない。一方で、配線ピッチは同等であるはずの、TSMCとSamsung Electronicsの7nmプロセスは計画通りに進んでいる。ではなぜ、Intelは10nmプロセスの立ち上げに苦戦しているのだろうか。 Intelは2016年以降、今日に至るまで、10nmプロセスを立ち上げることができていない。それが原因となって、メモリ不況を引き起していると考えている（関連記事：「Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況」（2018年12月7日））。その概略は、以下の通りである。 Intelでは最先端の微細加工プロセスでPC用プロセッサを量産し、1世代遅れたプロセスでサーバ用プロセスを
“余計なもの”って何？ 「Mate 20 Pro」の疑惑を晴らす (1/3) - EE Times Japan
“余計なもの”って何？ 「Mate 20 Pro」の疑惑を晴らす：製品分解で探るアジアの新トレンド（34）（1/3 ページ） Huaweiの2018年におけるフラグシップ機「Mate 20 Pro」。この機種には、“余計なもの”が搭載されているとのうわさもある。本当にそうなのだろうか。いつものように分解し、徹底的に検証してみた。 弊社（テカナリエ）では、年間おおよそ30機種ほどのスマートフォンを分解している（実際にはカスタム解析依頼などに対応するために同じ機種を数台分解するので、台数はさらに多い）。 分解の前に若干使う場合もあるが、多くは買ったものをそのまま分解する。分解は、おおよそ1時間ほどで終わる。実際、分解するだけならば手慣れたもので、数分もあれば基板取り出しまでできてしまうのだが、分解の各工程を写真に撮りながら進めるので1時間程度かかるわけだ。2018年、最も時間をかけて丁寧に分解
5Gで水晶の置き換え狙う、±5ppbの「MEMS OCXO」 (1/3) - EE Times Japan
5Gで水晶の置き換え狙う、±5ppbの「MEMS OCXO」：周波数安定性は水晶比で10倍（1/3 ページ） SiTimeは2018年11月5日、主に5G（第5世代移動通信）ネットワークで使用されるタイミングデバイス向けに、恒温槽型（オーブン制御）のMEMS発振器を主製品とするプラットフォーム「Emerald」を発表した。±5ppb～±50ppbという高い周波数安定性を実現している。 SiTimeは2018年11月5日（米国時間）、主に5G（第5世代移動通信）ネットワークで使用されるタイミングデバイス向けに、恒温槽型（オーブン制御）のMEMS発振器を主製品とするプラットフォーム「Emerald」を発表した。9×7mmという小型パッケージながら、±5ppb～±50ppbという高い周波数安定性（精度）や、±50ppt/℃の周波数傾斜（ΔF/ΔT）、±0.1ppb/gの耐振動性を実現していること
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主流はシリコンパワー半導体、EV市場に期待大
