AWS事業部の採用方針について | DevelopersIO
主にクラスメソッドメンバーズにおけるサポートサービスとフートシリーズ（運用保守オプション）を担当するグループです。運用保守、システム監視、セキュリティ監視、継続的コンサルティングと、システム稼動後のお客様インフラを24時間365日体制で安定した状態に保つために日々お客様とやりとりしています。 このように、一つの部の中に担当業務が違う複数のグループがありますが、部全体のビジョンはただ一つ、「AWSに関する圧倒的な量のノウハウを用いて、AWSインフラを安く早く構築し、AWSのことをまるっとお任せしてもらうことで、お客様のビジネスに貢献する」です。そして同じビジョンを掲げたチームとして、採用方針もグループ毎に分けず、部として統一しています。 今回はAWS事業部の採用方針をご紹介します。 AWS事業部の採用方針 AWS事業部の採用方針は以下の3つです。 技術が好きな人を採る クラスメソッドはエンジ
社内内弁慶を社外勉強会に参加させる方法 - ソフトウェアさかば
社内勉強会をする様に言われて拒否する（社内勉強会より社外の勉強会）のは私だけではないようです。ただ、結論が異なるので、私が社内の人向けに社外の勉強会をすすめている方法を説明しましょう。 ブログ書いた。頑張りたいと思っていた時期もありました。→社内勉強会をやらない理由 - 勘と経験と読経 bit.ly/13tUzLV — Kent Ishizawaさん (@agnozingdays) 2013年5月13日 社内内弁慶 そもそも社内勉強会をする様に言われるのは、社内内弁慶がいるからです。それなりに技術力があって、社内では威張るのに、社外に出て新しい知識を得ようとしない人たちです。 「この人たちをなんとかしたい」ということで、社外で活動している人たちに依頼がくる訳です。この「なんとかしたい」には２つあって、 今のままでは使い物にならなくなるので、何でも良いので技術を身につける様にしたい。 =>社
Island Life - Genius is in the choices
About 南の島のプログラマ。 たまに役者。 Practical Schemeの主。 WiLiKi:Shiro 最近のエントリ 無限cxr高校受験Defense振り返ってみると2019年は色々学んで楽...覚えるより忘れる方が難しい(こともある)眼鏡のつると3DプリンタIris Klein Acting ClassSAG-AFTRA conservatory: Voice Acting創作活動って自分を晒け出さねばならないと...ループを使わずに1から100までMore... 最近のコメント shiro on 歳を取ると時間が速く過ぎるのは、新しいことに挑戦しないから? (2023/03/14)1357 on 歳を取ると時間が速く過ぎるのは、新しいことに挑戦しないから? (2023/03/01)ベアトリーチェ on ハイポハイポハイポのシューリンガン (2022/04/02)ベアトリーチ
OSに付属するシェルスクリプトを読んで技術を盗む
今回から、OS付属のシェルスクリプトを読んでいく。多くの人が使っているスクリプトを読むことで、シェルスクリプトならではの書き方、テクニックを身に付けることができるはずだ（編集部） 他人の技術を盗まなければ進歩はない 外国語をマスターするにも、楽器の演奏を覚えるにも、上達するにはただ練習するだけではダメだ。素晴らしいお手本を見つけて、よく観察し、何度もまねることが必要だ。お手本から技術を「盗む」ことが大切だということだ。 プログラミングでも同じことが言えると思う。文法を覚えて、ただひたすらプログラムを書くだけではなかなか上手にならない。スキルのある人のコードを見て、技術を盗もう。開発チームのメンバーそれぞれが書いたコードを持ち寄って、お互いに批評し合う「コードレビュー」に参加している、あるいはリーダーとして主催しているという人は多いと思う。このコードレビューも、人から技術を盗む良い機会と言え
エルピーダ、新メモリ「ReRAM」を開発 高速で不揮発性
DRAMの高速性とフラッシュの不揮発性を兼ね備えるという次世代メモリ「ReRAM」の開発にエルピーダが成功。 エルピーダメモリは1月24日、次世代メモリ「ReRAM」（Resistance Random Access Memory：抵抗変化型メモリ）の開発に初めて成功したと発表した。不揮発性ながらNAND型フラッシュメモリと比べて高速で、情報機器用メモリの大幅な省電力化が可能という。来年にも量産開始を目指す。 電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子として使ったメモリ。フラッシュメモリと同様、電源を落としてもデータを保持できる不揮発性で、さらにデータの読み書きが高速かつ消費電力も少ないのが特徴。DRAMとフラッシュのメリットを兼ね備えているとしている。書き換え可能回数は100万回以上とNANDフラッシュの10倍以上という。 試作品は50ナノメートルプロセスで製造し、64Mビットのメモリ
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