記憶容量が現行メモリの10倍＆消費電力は3分の2の次世代メモリ「MRAM」を日米20社の半導体企業が共同開発、いよいよ量産化が明確に
By Chris Sinjakli 現行のDRAMに代わる次世代メモリとして期待される「MRAM」を、マイクロン・東京エレクトロンなど日米半導体開発関連企業20社が、研究開発拠点となる東北大学「国際集積エレクトロニクス研究開発センター」で共同開発することが決定しました。日米半導体連合は2018年のMRAM量産化を計画しており、いよいよ量産化に向けてMRAMの開発が加速する見込みですが、「そもそもMRAMは現行のメモリとどう違うのか？」ということで、現行メモリとMRAMの違いや、これまでの開発の流れをまとめました。 日米で次世代半導体 米マイクロンなど20社超参加 ：日本経済新聞 http://www.nikkei.com/article/DGXNASDD23018_T21C13A1MM8000/ 日本、空洞化に危機感 日米で次世代半導体 ：日本経済新聞 http://www.nikke
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
https://shirotakeda.org/blog-ja/?p=1777
