Intel、NANDの1,000倍高速な不揮発性メモリを開発 ～トランジスタ不要の「3D XPoint」技術
“第3のメモリー”の衝撃、ストレージとDBが一変する
出典：日経コンピュータ 2012年12月20日号 pp.70-77 （記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります） 2012年、DRAMでもフラッシュメモリーでもない“第3のメモリー”の量産出荷が始まった。DRAM並みに高速でありながら、フラッシュ同様に電源をオフにしてもデータが消えない「新世代不揮発性メモリー」だ。新メモリーによってコンピュータのアーキテクチャーは激変し、入出力（I/O）の大幅な高速化が実現すると共に、消費電力は激減する。 コンピュータには、高速だが電源をオフにするとデータが消える「主記憶装置（メインメモリー）」と、低速だがデータが消えない「外部記憶装置（ストレージ）」という2種類の記憶装置がある。 こんなコンピュータアーキテクチャーの常識が一変する可能性が出てきた。DRAM並みに高速でありながら不揮発性を備えた「新世代不揮発性メモリー」の量産出荷が始
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