日本発の新メモリー「TRAM」、LEAPなどが動作原理を解明し低電力化超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）と名古屋大学、産業技術総合研究所は、GeTe/Sb2Te3超格子を用いた新しいタイプの相変化メモリー「TRAM（topological-switching RAM）」の超格子構造や抵抗変化機構を解明。構造を最適化し、低電力で動作させることに成功した。データセンターなどに向ける高速で低電力のストレージ（SSD）の実現につながる。「2014 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2014）」（2014年12月15～17日、米国サンフランシスコ）で詳細を発表する（講演番号29.2）。 LEAPなどは、従来の相変化メモリーのような結晶の溶融を伴わず、Ge原子の短範囲移動で抵抗が変化するTRAMの基本コンセプトを2013年12月に発表（関連記事1）。2014年6月には、CMOS基板上にTRAMを試作し
