「今年は韓国Samsung Electronics Co.,Ltd.から目立った発表が少なかった」。2007年12月10〜12日に米国ワシントンDCで開催された電子デバイスに関する国際会議「2007 International Electron Devices Meeting(2007 IEDM)」に参加したある国内半導体メーカーの製造技術者からこういう発言を聞きました。 実際,Samsung社の稼ぎ頭であるメモリ関連の技術発表だけ見ても,昨年との差は一目瞭然です。1年前の「2006 IEDM」では,Samsung社は惜しげもなく,新技術を次々と披露しました。例えば,2008年の量産化を目指した32GビットNANDフラッシュ・メモリ向けの製造技術の詳細や,競合他社を大きく上回る集積度を達成した512MビットPRAM技術を発表しました。このほかにも,2個のメモリ・セルを3次元方向に積層するフ