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開発と回路に関するvccのブックマーク (174)

  • 製品に最適な統合カスタムチップをオンデマンドで安価に作るスタートアップ、zGlue|fabcross

    モデム、CPU、メモリーなどの複数の機能を統合したSoC(System on Chip)は最近のIoT機器に欠かせない。Qualcommの「Snapdragon」シリーズやMediaTekが投入する統合チップは、さまざまなスマートフォンが短期間で開発されるエコシステムの重要な一部だ。SoCそのものを作るのはこれまで大企業に限られた話だったが、そこを大衆化させるビジネスを手がけるベンチャーがzGlueだ。 SoCによりIoT機器の開発速度は上がる CPUやメモリー、WifiやBluetoothといった通信機能を、一つの半導体チップ内にまとめたSoC(System on Chip)は、安価で高性能なICT/IoT機器が続々登場するエコシステムの一部になっている。ICT機器の開発においては、自作PCのようにCPU、メモリー、グラフィックボード、記憶素子、無線機能などにそれぞれ必要な機能を備えたチ

    製品に最適な統合カスタムチップをオンデマンドで安価に作るスタートアップ、zGlue|fabcross
  • 家電品の量産に低温はんだによるフロー実装を適用

    パナソニックは、新たに開発した合金はんだと専用フラックスを用い、低温はんだによるフロー実装を実用化し、家電製品の量産に適用した。 実装工程の消費電力を約30%削減、CO2排出係数も大幅減少 パナソニック2022年8月、新たに開発した合金はんだと専用フラックスを用い、低温はんだによるフロー実装を実用化し、家電製品の量産に適用したと発表した。 同社は、家電製品の量産ラインで低温はんだのリフロー実装を、いち早く導入してきた。ところが低温はんだのフロー実装では、液体状になったはんだの供給量を適切に制御することが難しいことや、はんだ槽の表面にはんだドロスが生成されるなど、実用化に向けてはいくつかの課題もあったという。 そこで、パナソニックは材料メーカーと協力し、フロー実装に適したSnとBiの合金はんだ「Sn-58Bi」とSn-58Bi専用の「フラックス」を開発した。Sn-58Biは、従来の鉛フリー

    家電品の量産に低温はんだによるフロー実装を適用
  • LDOで“コンデンサー不要”に、ロームの「NanoCap」

    LDOで“コンデンサー不要”に、ロームの「NanoCap」:DC-DCの電流モード制御を応用(1/2 ページ) ロームは、出力コンデンサーを使わなくても電源ICを安定動作させる技術「Nano Cap」を開発した。まずはリニアレギュレーター(LDO)に適応する「Nano Cap LDO」として商品化を目指している。 1μF未満の小型コンデンサーが使える ロームは、出力コンデンサーを使わなくても電源ICを安定動作させる技術「Nano Cap」を開発した。まずはリニアレギュレーター(LDO)に適応する「Nano Cap LDO」として商品化を目指している。 ロームがNano Capを開発した背景には、世界的なコンデンサー不足がある。産業機器や民生機器だけでなく、電動化が進む自動車にも大量のコンデンサーが使われるようになっている。特に電気自動車(EV)では1台当たり1万個ものコンデンサーが必要にな

    LDOで“コンデンサー不要”に、ロームの「NanoCap」
  • これからの時代、少量カスタムで大量種類のチップを設計する方法とは (UCBの論文を読む) - FPGA開発日記

    UCB(University of California, Berkeley)の論文を教えてもらい、読んでみることにした(実際には大量にGoogle翻訳した)。 この論文は"Generating the Next Wave of Custom Silicon"という論文である。 著者から分かる通り、RISC-VとChiselの思いっきり関係者である。 Generating the Next Wave of Custom Silicon Borivoje Nikolić, Elad Alon, Krste Asanović, Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley, CA, USA https://ieeexplore.ieee.org/xpl/mostRecentIss

    これからの時代、少量カスタムで大量種類のチップを設計する方法とは (UCBの論文を読む) - FPGA開発日記
  • 中国で驚きの「速攻開発」 雨後の竹の子、AIスピーカー

    まさに雨後の竹の子――。世界でAI人工知能)スピーカー(スマートスピーカー)の新機種が続々と登場している。特に世界最大のオーディオ機器産業集積地となった中国発ブランドの製品が多く、中国Webサービス企業も後に続いた。

    中国で驚きの「速攻開発」 雨後の竹の子、AIスピーカー
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    vcc 2017/12/12
    “デザインハウスが提供する公板の周辺情報には、目を見張るものがある。BOMに型番が並ぶだけでなく、それぞれの価格、販売会社、担当者名、連絡先電話番号も書かれている。
  • 正しい波形が観察できるプローブの回路はどっち? | CQ出版社 オンライン・サポート・サイト CQ connect

    図1の回路(a)と(b)は,10:1のパッシブ・プローブをオシロスコープに接続した状態の簡易等価回路です.回路(a)のコンデンサ(C1)は10pFで,回路(b)のコンデンサ(C1)は9pFとなっています.このプローブで2kHz,1VPPの矩形波を観察した時,正しい波形が観察できるのはどちらでしょう? 図1 10:1のパッシブ・プローブをオシロスコープに接続した状態の回路(a)と(b) 回路(a)のC1は10pFで,回路(b)のC1は9pFとなっている 回路(a) 10:1のパッシブ・プローブは,どんな周波数でも入力信号を1/10にしてオシロスコープに伝える必要があります.そのためには,図1において,C1/(C1+C2+C3)=R2/(R1+R2)が成り立つような定数となっている必要があります. 回路(b)はC1(9pF)が適正値より小さく,高い周波数で分圧比が大きくなり,高域が減衰する特性

  • “CPU大国への道”を突き進む中国、ドローン分解で見えた懸念

    連載の前々回「まるで“空飛ぶプロセッサ”、進化する中国ドローン」で扱った中国DJIのドローン「Phantom 4」の追加情報を今回も掲載する。DJIのPhantom4には実に27個ものCPUが搭載されていることを報告した。今回はその具体例を紹介したい。 図1は、カメラ雲台(Gimbal)に採用される米Ambarellaのカメラ用プロセッサ「A9」のチップ開封の様子である。 A9チップは、映像機器関連で採用が多く、DJIのDroneのみならず、アクションカメラで有名な「GoPro」、ドライブレコーダーや監視カメラにも搭載されている。DJIは、このカメラプロセッサにソニーのCMOSセンサーを組み合わせてPhantom 4の雲台を構成している。 このチップは図1に掲載するように、仕様(内部ブロック図)が公開されていて、3つのCPUと、ビデオやイメージ処理を行うDSPから構成されていることが明ら

    “CPU大国への道”を突き進む中国、ドローン分解で見えた懸念
  • ARMがもたらした“老舗コンサバ、新興アグレッシブ”の現状

    ARMがもたらした“老舗コンサバ、新興アグレッシブ”の現状:製品分解で探るアジアの新トレンド(9)(2/2 ページ) Amlogicの“インプリメント力” 2014年、「Android L」の名前でGoogleがリリースを開始した、64ビット化されたAndroidは2015年、瞬く間に市場に広まった。64ビット化を実現するためには、ARMの新CPUコア「Cortex-A5x」シリーズを用いるしかない(もしくはIntelのAtomやMIPS64)。今までの「Cortex-A15」「同A17」「同A7」「同A9」をアップグレードする必要が、全ての半導体メーカーに等しく訪れた。 先行するQualcommも、MediaTekも、OSの64ビット化に合わせ、2014~2015年、ハイエンドからミドルハイ、ローエンド製品まで一斉に64ビット化、Cortex-A5xの切り替えを行っている。 Qualco

    ARMがもたらした“老舗コンサバ、新興アグレッシブ”の現状
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    vcc 2016/10/24
    面積は最小で周波数が最大。この数字だけを見れば、Amlogic社のインプリメント力が最も高いことになる。インプリメント力とは、「同じ素材を使って競合他社にない、高い価値を生み出す実装力」のことだ。
  • いよいよスマホ搭載か!? 電磁界結合による非接触コネクタで開発成果

    いよいよスマホ搭載か!? 電磁界結合による非接触コネクタで開発成果:新技術 非接触コネクタ(1/3 ページ) 慶応大の黒田忠広氏らのグループは、米国で開催されている国際学会「ISSCC 2015」で電磁界結合を用いた非接触コネクタに関する2件の研究論文を発表する。同コネクタをスマホに搭載した場合でも、他の無線機と干渉しないことなどを実証した内容も含まれ、非接触コネクタの実用化加速が期待される。 慶應義塾大学 理工学部教授の黒田忠広氏らの研究グループは電磁界結合を用いた非接触コネクタの伝送路結合器(TLC:Transmission Line Coupler)を従来の1/8.3に小型化する技術を開発した他、同非接触コネクタをスマートフォンや人工衛星に実装可能なことを実証した。これらの研究開発成果に関する論文は2015年2月22~26日に米国で開催されている国際学会「ISSCC(IEEE Int

    いよいよスマホ搭載か!? 電磁界結合による非接触コネクタで開発成果
  • IoT時代のサーバを助ける56Gbps送受信回路

    富士通研究所とソシオネクストは、サーバ間の光通信向けに、56Gビット/秒の通信速度を実現する送受信回路を発表した。ソシオネクストは今回、オプティカルネットワーク分野で培ってきたノウハウを活用することで、消費電力を削減できる新しいタイミング誤差検出方式を開発。これにより、現行と同じ消費電力で2倍高速となる56Gbps送受信回路を実現している。 「2020年、IoTの普及で全てのデバイス/センサーはデータセンターやクラウドにつながる時代を迎える。つながるデバイスの数は500億台。2015年の150億台から3倍以上に増える見込みだ」――インテルは、2015年6月に行ったカンファレンスでこう語った。 IoTの普及に伴って懸念されるのは、膨大な量のデータ処理である。膨大な量のIoTデータをリアルタイムで処理するためには、データセンターの処理能力向上が解決の要因の1つとして挙げられる。しかし、同時に考

    IoT時代のサーバを助ける56Gbps送受信回路
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    vcc 2016/03/02
    富士通研究所とソシオネクストは、サーバ間の光通信向けに、56Gビット/秒の通信速度を実現する送受信回路を発表。入力信号が「100」「011」のとき、DFEの結果を比較することでタイミングの進み/遅れを検出できる。
  • 量産現場における基本的な認識(3)ボイド対策

    はんだ付けに用いるリフロー炉の操作方法や、実装ラインの品質を管理する現場の人材育成の手法を解説する連載。今回は、ボイド対策について紹介する。 1. はじめに 通常のボイドは主にガス化したフラックスがフィレット内にとどまって発生する。リードが細い、または小さい場合には、はんだ量が十分であれば融点以上を長くすることでかなり解消することができる。これは、フラックス効果で溶融はんだの表面張力が抑えられ、熱対流することによってガスがフィレット内部から放出され、解消される。同時に、基板や部品リード表面からのガスも放出される。 BGA、CSPでは部品の下にはんだが印刷されるため、発生したガスは部品下部にとどまりやすくなるが、ボール分だけ部品と基板にすき間があるので、はんだの流動性が保持される限りにおいてはガスはボール内から外へ放出される。 逆に、リードレス部品やパワー系部品では部品と基板ランド間にすき

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    vcc 2015/11/12
    ボイドは主にガス化したフラックスがフィレット内にとどまって発生する。ガスが原因であれば比較的小さく、かつ丸く残存するが、大きく異形状態のものは大半が気化しないフラックス残渣によるものと推測される。
  • 【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 Skylakeアーキテクチャの謎 ~省電力で有利な統合電圧レギュレータを外した理由

    【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 Skylakeアーキテクチャの謎 ~省電力で有利な統合電圧レギュレータを外した理由
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    vcc 2015/10/07
    SkylakeでFIVRを外したのは、低電力で変換の効率が大幅に落ちるから。非常にインダクタンス値の低いトレースインダクタを導入したため、周波数を非常に高く保つ必要があるが、低電力ではうまく働かなくなる。
  • 重さ60gの超小型ノートPC用ACアダプタを開発

    丸文は、米国FINsix(フィンシックス)に資参加するとともに、国内販売代理店契約を結んだ。丸文はFINsix製の超小型ACアダプタ「DART」などを2016年より国内販売する。 2016年国内発売へ 丸文は2015年8月7日、VHF(Very High Frequency)スイッチング技術をベースとした電源システムのファブレスベンチャー企業である米国FINsix(フィンシックス)に資参加するとともに、国内販売代理店契約を結んだことを発表した。契約に基づきFINsix製の超小型ACアダプタ「DART」などを2016年より国内販売する。 FINsixは、米マサチューセッツ工科大学LEES研究所出身の技術者らが起業したファブレスベンチャー企業。一般的なスイッチング電源だと、そのスイッチング周波数は数百kHzにとどまるが、FINsixは独自の高周波アナログ技術を開発し、スイッチング周波数をV

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  • SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ

    SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ:マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応(1/4 ページ) 不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を開発した。通常のCMOSプロセスに3~4枚のマスクを追加するだけで実現できるといい、2016年中の量産対応を目指す。 産革機構も出資 システムLSIの設計が大きく変わるかもしれない。 不揮発性メモリIPを手掛ける新興企業 フローディアは、システムLSIの任意の位置に配置できる混載フラッシュメモリ技術「LEE Flash-G2」を開発した。2016年末にも同技術を用いた90nmプロセスによるシステムLSIの量産が始まる見込み。順次、55nmプロセスなどファウンドリ各社の微細プロセスへの対応を進め、LSI設計者にとって使いやすい不揮発性メモリとして幅広い普及を狙う。 プログラムやロ

    SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ
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    vcc 2015/08/13
    LEE Flash-G2はソース/ドレインは、高圧を掛ける必要がなくコア電圧で済むようにした技術。スタンダードMOSで構成できるため読み出し速度が高速化できる。面積も3分の1程度に小型化できる。
  • 【イベントレポート】 大脳にシリコンダイを埋めて神経を電気で刺激する

    【イベントレポート】 大脳にシリコンダイを埋めて神経を電気で刺激する
  • 【イベントレポート】 MITなど、グラフェンを超える「スーパー半導体」で良好なFETを作成

    【イベントレポート】 MITなど、グラフェンを超える「スーパー半導体」で良好なFETを作成
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    vcc 2015/06/19
    次々世代材料群の中で、二硫化モリブデン(MoS2)が注目されている。半導体材料(エネルギーバンドギャップがある)であり、原理的にキャリアの移動度が高く、CMOSプロセスと互換性があり、電流のオン/オフ比が極めて高い。
  • 「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ

    「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ:プロセス技術(1/2 ページ) IBM研究所が、Si(シリコン)とIII-V族化合物半導体を組み合わせたナノワイヤを形成する技術を発表した。独自の「TASE(Template-Assisted Selective Epitaxy)」という技術を使って形成する。TASEで作成したInAs(インジウムヒ素)のナノワイヤは、5400cm2/Vsの電子移動度を達成したという。「ムーアの法則」を継続させる鍵になるかもしれない。 「ムーアの法則」が再び勢いづく可能性がある。SOI(シリコン・オン・インシュレータ)基板のトランジスタチャネルなどに適した、III-V族化合物半導体ナノワイヤの形成が鍵になりそうだ。スイスのチューリッヒと米国ニューヨーク州ヨークタウンハイツに拠点を置くIBM Researchが発表した。 IBM

    「ムーアの法則」継続の鍵となるか、Si/III-V族の“ハイブリッド”ナノワイヤ
  • ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(13)~高移動度FinFETの期待と現実

    ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(13)~高移動度FinFETの期待と現実:福田昭のデバイス通信(24)(1/2 ページ) FinFETの“延命策”として、チャンネルの材料をシリコンからゲルマニウム(Ge)やインジウム・ガリウム・ヒ素(InGaAs)などに変更する方法がある。だが、ARMの講演では、この“延命策”に悲観的だった。今回は、Ge FETなどが抱える問題と、その打開策について紹介する。 移動度の高さをコンタクト抵抗の増加が打ち消す 前回は、14nm世代から5nm世代にかけてトランジスタの仕様がどのように推移していくかを示した。それから、FinFET(フィンフェット)の延命策を説明した。 FinFETの延命策は、チャンネルの材料をシリコン(Si)から、キャリア移動度の高い別の材料に変更することだと、前回は述べた。ゲルマニウム(Ge)やインジウム・ガリウム・ヒ素(InG

    ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計(13)~高移動度FinFETの期待と現実
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    vcc 2015/05/20
    LSIの性能を支配するのは、寄生素子のRC積に依存するようになる。微細化によって増加する寄生素子は2つ。コンタクト抵抗と配線抵抗。
  • 第32回 損失の解析

    実装分野の最新技術を分かりやすく紹介する前田真一氏の連載「最新実装技術あれこれ塾」。第32回は、前回説明した損失について計算する「損失の解析」について取り上げる。

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    vcc 2015/04/16
    金めっき配線は、銅、ニッケル、金の抵抗率の違い、ニッケルの磁化による表皮深さの変化が影響。表皮効果による抵抗損失は導体の表面積に依存。しかし誘導損失は誘電体と接する面が大きくなると損失が大きくなる。
  • バラにトゲあり、ステンレスにワナにあり

    そして、技術者必携のノウハウ表が、金属の組み合せトーナメント表みてぇなヤツなんだが、……名前をちょいと、忘れちまったよぉ。え~と、確か、電気的ポテトチップスフライヤー……だったかな? 甚さん、ポテチ揚げてどうするんですか! 「電気化学的ポテンシャル表」ですよ。または、「金属の電気化学的電位表」って言うんです。現場ではそれを縮めて「ポテンシャル表」もしくは、「電位表」って呼ばれていますが(表1)。

    バラにトゲあり、ステンレスにワナにあり
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    vcc 2015/04/10
    「電気化学的ポテンシャル表」または「金属の電気化学的電位表」。錫めっきとステンレスでは、電食が起こることはない。錫めっきの下地の銅が露出し、銅とステンレスの組合せなら電食が起きる可能性は高くなります。