タグ

spiceに関するvccのブックマーク (4)

  • SPICEモデルとライブラリ(その1)

    設計した回路をSPICEで解析するには、使用している部品のSPICEモデルが必要だ。第10回では、このSPICEモデルについて解説する。 これまで連載の中で述べてきた、「分かって設計する」という目的でSPICEを導入し、「さあ! 設計を始めよう」と勇んで回路図を作成する段階になって問題となるのが、“ツールに標準で含まれている半導体素子のモデルは圧倒的に海外製品が多く、日製半導体素子のモデルは少ない”という点です。 抵抗やキャパシタのように値しか設定しないものは構わないとしても、半導体素子のように型番ごとに特性が大幅に異なる場合のシミュレーションは、目的とする型番で行わなければ当然、設計に役立つ結果は得られません。たとえ、目的がアイデアの確認であったとしても、的外れな部品のモデルを使っていては、その結果を信用することはできないのです。 半導体素子モデルの登録数の不足は、「LTspice」の

    SPICEモデルとライブラリ(その1)
  • 節点法の計算原理を例題から学ぶ

    前回、最後に示した例題回路を図1に示します。今回は、この回路図上の全ての節点について、電圧と電流を省略せずに計算をしてみます。簡単な回路図なので、節点法ではなくΔ-Y変換を使った直並列計算だけでも解くことはできます。しかし、節点法の計算原理を理解するためにも一度は手計算で解いてみてください。筆を動かすことが理解の第一歩になります。頑張って、筆を動かしましょう。 例題回路の計算に入る前に、連載の図や表、式の中に出てくる記号の表記法を次のように定めておきます。 小文字表記(g**、v**など)は、行列要素やベクトル成分、XY座標などの一連のデータ群を表します 大文字表記は、行列、ベクトルのような「概念」や、回路要素自体を指しますが、計算式中で使う場合は要素が持つ特性値を表します SPICEの統一規則に従い、節点番号0は接地電位に限定します 節点電位Viは、節点番号が小さいほど高いと仮定します

    節点法の計算原理を例題から学ぶ
  • HiSIM

    Hiroshima-university STARC IGFET Modelの略。広島大学が半導体理工学研究センター(STARC)の支援を受けて開発した、回路シミュレーション用トランジスタ・モデル(いわゆるコンパクト・モデル)である。

    HiSIM
    vcc
    vcc 2013/01/22
    ソースからドレインまでのポテンシャル分布も考慮した、表面ポテンシャル・モデル
  • LTspice メモ

    LTspice/SwitcherCAD III のサブサーキット周りのあれこれ。 Spice model と symbol の連係のさせかたにおおむね 4 通りほどあり、 しかも微妙な表記の違いで取り扱いが変化する、そのことから。 シンボルの attributes シンボルファイル (.asy) は単なるテキストで、中身はこんな感じ。 Version 4 SymbolType CELL LINE Normal 48 80 48 96 ... 略 SYMATTR Value NMOS SYMATTR SpiceModel ../local_sub/NMOS SYMATTR Prefix X SYMATTR Description Dual gate N-Channel MOSFET transistor PIN 48 0 NONE 0 PINATTR PinName D PINATTR Sp

  • 1