【福田昭のセミコン業界最前線】 2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術
まとめ：新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム
まとめ：新世代のメモリを創造する二酸化ハフニウム/ジルコニウム：福田昭のストレージ通信（86） 反強誘電体が起爆するDRAM革命（7）（2/2 ページ） 書き換え寿命の延伸と研究開発の広がりが大きな課題 2011年に二酸化ハフニウム強誘電体が公表されて以降、わずか6年ほどの間に、これだけの研究成果が発表されてきたのは、すごいことだ。そして発表された研究成果、具体的にはキャパシターやトランジスタなどの試作結果がかなり良好であることも、驚くべきことだといえる。通常は、新しい材料によって作製したデバイスの特性は、非常に貧弱であるからだ。 もっとも、初めからかなり良好な結果が得られた理由は、推測できる。最も重要なのは、二酸化ハフニウムと二酸化ジルコニウムが、既に半導体の量産に使われている材料だという事実だろう。これは原料の純度が、半導体の量産に適用できる水準までに高いことを意味する。新しい機能を実
IEDMで発表されていた3D XPointの基本技術（前編）
米国で開催された「ISS（Industry Strategy Symposium）」において、IntelとMicron Technologyが共同開発した次世代メモリ技術「3D XPoint」の要素技術の一部が明らかになった。カルコゲナイド材料と「Ovonyx」のスイッチを使用しているというのである。この2つについては、長い研究開発の歴史がある。前後編の2回に分けて、これらの要素技術について解説しよう。 3D XPointの要素技術が一部明らかに 謎に包まれていた次世代メモリ技術「3D XPoint（スリーディー・クロスポイント）」の要素技術が一部、明らかになった。3D XPointメモリは、IntelとMicron Technologyが共同開発し、両社が2015年7月29日（米国時間）に大々的に発表した次世代の不揮発性メモリである＊）。DRAMに比べて10倍も記憶密度が高く、NANDフ
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ
SRAM同様、自由に配置できる混載フラッシュ：マスク4枚を追加するだけの低コスト製造対応（1/4 ページ） 不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を開発した。通常のCMOSプロセスに3～4枚のマスクを追加するだけで実現できるといい、2016年中の量産対応を目指す。 産革機構も出資 システムLSIの設計が大きく変わるかもしれない。 不揮発性メモリIPを手掛ける新興企業 フローディアは、システムLSIの任意の位置に配置できる混載フラッシュメモリ技術「LEE Flash-G2」を開発した。2016年末にも同技術を用いた90nmプロセスによるシステムLSIの量産が始まる見込み。順次、55nmプロセスなどファウンドリ各社の微細プロセスへの対応を進め、LSI設計者にとって使いやすい不揮発性メモリとして幅広い普及を狙う。 プログラムやロ
Plextorが開発する“Haswellが求める”SSD
新規格インタフェースをフルに使えるコントローラを用意できる数少ないベンダーとは Plextorは、NANDチップは東芝、SSDコントローラはMarvellに絞って製品を開発している。Marvellは、SSDコントローラは供給しても、ウェアレベリング処理などを行なうためのファームウェアは提供していないので、SSDベンダーが独自にファームウェアを開発する必要がある。現在、Marvellのコントローラを採用しているのがMicron/CrucialとPlextorの2社だけなのも、この独自ファームウェアの開発が大きな負担になるためだ。 Plextorでは、独自ファームウェアの開発にあたり、東芝のNANDチップに最適化したウェアレベリング処理や不良ブロック管理を実現する「True Speed」技術を導入している。長期間利用するとパフォーマンスが低下するというSSD特有の問題も、True Speedの
フラッシュメモリ微細化の限界に挑戦するメーカーの取り組み
前編の「NAND型フラッシュメモリの次を見据えるメーカーの思惑」に続き、NAND型フラッシュメモリの後継技術として関心が高まる、相変化メモリ（PCM）や磁気メモリ（MRAM）、抵抗変化型メモリ（RRAM）の3つの技術の最新動向を紹介する。これらの新技術は、過去2年間でブレークスルーが起き、性能と耐久性の両面で今後の飛躍が期待されている。 米Intelの不揮発性メモリソリューショングループの製品マーケティングディレクター、トロイ・ウィンスロー氏によると、Intelではスタック型PCMの一種で相変化メモリ＆スイッチ（PCMS）と呼ばれる技術が、企業向けシステムとしてMRAMよりも有望だと考えているようだ。PCMSはOvonic Threshold Switchで層化されたPCMエレメントで構成される。 IntelとNumonyxは2009年、64Mビットのテストチップで1個のダイ内に複数のPC
産総研、新たな原理による強誘電抵抗変化メモリを開発
産業技術総合研究所(産総研) 電子光技術研究部門 強相関エレクトロニクスグループ 澤彰仁 研究グループ長、山田浩之 主任研究員、鶴巻厚 産総研特別研究員らの研究グループは、導電性を持つ酸化物強誘電体を用いて新しい酸化物抵抗変化メモリ(Resistance Random Access Memory: ReRAM)を開発したことを発表した。同成果は、ドイツの科学誌「Advanced Functional Materials」のオンライン版でも発表される。 ReRAMは、構造が単純なため素子の面積を小さくできる他、電気抵抗の変化が大きく複数の電気抵抗値に設定できるため多くの値を記憶できる。これらの特長から、次世代の高密度不揮発性メモリとして期待されている。 従来のReRAMは酸化物の酸化還元反応、あるいは酸化物中の酸素欠陥の移動を利用しているが、今回開発したReRAMでは酸化物強誘電体の電気分極
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【福田昭のセミコン業界最前線】 Micronが浮遊ゲート技術の3D NANDフラッシュ開発から撤退へ