特性ばらつきの主原因である物性ばらつきが少ない金属ゲート電極材料を開発 これまで報告された中で最小の特性ばらつき1.34 mVµmを達成 14 nm世代以降の集積回路の性能と歩留まりの向上、消費電力低減を進める上の課題を解決 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】(以下「産総研」という)ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】シリコンナノデバイスグループ 松川 貴 主任研究員、昌原 明植 研究グループ長らは、特性ばらつきが世界最小の14 nm世代立体型トランジスタ(フィンFET)を試作した(図1左)。 フィンFETの特性ばらつきの主な原因は、金属ゲート電極材料の物性ばらつきである。今回、物性ばらつきが少ない非晶質の金属ゲート電極材料を開発し、特性ばらつきが世界最小のフィンFETを試作した。14 nm世代以降のSRAM(Static Random Access