研削から研磨まで１台で…SiC・GaNで使える半導体ウエハー加工装置、タカトリが開発 ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
タカトリは半導体材料であるウエハーの研削から研磨までを行える装置「グラッピングＳｉＣ＝写真」を開発し、１２月１日に発売する。スライス後の荒れた表面の処理として、研削、ラッピング（研磨）、ポリッシング（鏡面研磨）の３工程を１台で行える。最大８インチのウエハーの処理が可能。工程間の自動化による生産性向上につながる。欧米や中国など海外の半導体ウエハーメーカーに採用を提案する。 価格は約１億円を見込む。初年度３０台、２０２６年には年間２００台の販売を目指す。 パワー半導体の材料として注目される炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウムなどで使える。 同装置はサイズが幅１２２５ミリ×奥行き２５００ミリ×高さ２５００ミリメートル。重さ８トン。高剛性のフレーム構造を持ち、高速で高精度の研削が可能。また研削用砥石ホイールの交換や設定の調整、ワーク（加工対象物）の移動などを自動で行う。工程の
SiCウエハー切断に革新をもたらす新工法 「ガラス加工の常識」で半導体市場に挑む
SiCウエハー切断に革新をもたらす新工法 「ガラス加工の常識」で半導体市場に挑む：ダイシングに比べて切るスピードが最大100倍に 次世代パワーデバイスの材料として開発が進むSiC（炭化ケイ素）。半導体としての特性は優れるものの、非常に硬く、SiCウエハーからダイを切り出すダイシングの工程にかなりの時間がかかるのが難点だ。半導体産業に近年参入した三星ダイヤモンド工業は、従来のダイシングとは全く異なる切断工法「スクライブ＆ブレーク」を提案する。ガラスや液晶パネルの切断加工を長年手掛けて「切る技術」を磨いてきた同社の工法によって、SiCウエハーの切断スピードを最大で従来の100倍に高速化できるという。 特性は良いがとにかく硬い、SiC 太陽光発電システムのパワーコンディショナーや電気自動車（EV）のインバーターなどへの採用が進むSiC（炭化ケイ素）パワーデバイス。SiCは、Si（シリコン）に比べ
タカトリがパワー半導体向けＳｉＣ材料切断加工装置の大口受注を獲得 | 個別株 - 株探ニュース
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23年9月期は大きく飛躍へ､タカトリSiC切断加工機の強み｜会社四季報オンライン
脇坂 司 / 精密切断加工機が主軸の産業機器メーカー・タカトリ（6338）。SiC（炭化ケイ素）パワー半導体切断加工装置の受注拡大を受け、今2023年9月期の業績は大きく伸びると予想される。 好調な受注の要因、今後
【キーワード・30秒解説】炭化ケイ素（シリコンカーバイド、ＳｉＣ） ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
次世代を担う、高性能半導体材料 炭素(Ｃ)とケイ素(Ｓｉ)を結合した化合物で、ファインセラミックスなどの材料として利用される。高い熱伝導率を有しつつ、1000度Ｃを超える高温下でも強度を保てる。安定性が高く、酸やアルカリに侵されにくい。導体と絶縁体の中間の電気伝導率で、近年は半導体材料としても注目される。ＳｉＣ半導体は250度Ｃ以上の高温で動作し、シリコンよりエネルギー損失が小さい。次世代通信やＥＶなど幅広い分野での需要が期待される。 《炭化ケイ素（シリコンカーバイド、ＳｉＣ）の今がわかるニュース》 超低熱抵抗のＳｉＣパワー半導体がスゴイ。阪大などが独自の銀焼結接合技術で開発 ＳｉＣ製のパワー半導体の普及へ官民連携！革新的なウエハー製造技術の早期確立へ デンソーが次世代事業の柱に据える「空飛ぶクルマ用部品」の中身。 【「炭化ケイ素」の記事をもっと読みたい】
株式会社タカトリ - なら発オンリーワン製品技術 ： 公益財団法人奈良県地域産業振興センター
揺動円弧切断方式による 固定砥粒マルチワイヤーソー 事業概要 半導体製造機器及び液晶製造機器、ワイヤーソーの製造販売、繊維機器の製造・販売。 1956年繊維機械の製造販売を開始し、1980年代に半導体、液晶分野に進出。1990年よりマルチワイヤーソーを開発し、2005年には、他社に先駆けて世界で初めて固定砥粒方式のマルチワイヤーソーを開発した。 オンリーワン技術／商品 電子部品の材料となるサファイヤ、SiC、シリコンなど硬・脆性材料を、高精度かつ大量にスライス加工するマルチワイヤーソーを開発。特に難加工材であるサファイヤ、SiC、GaN向けのスライス加工機としては、90％以上のシェアを獲得。 揺動円弧切断方式により、高硬度の難加工材を高精度にスライス加工 <加工歪層：10μｍ以下 / 加工厚み（サファイヤの要求厚み）：0.8mm～1.2mm ※加工精度：0.18mm> ワイヤー自動巻線機構
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3年間で時価総額を増やした中堅企業 1位はタカトリ NEXT Company - 日本経済新聞