【2024年】窒化ガリウム メーカー8社一覧・製品価格 | Metoree
窒化ガリウム メーカー8社一覧 【2024年】 窒化ガリウムについての概要、用途、原理などをご説明します。また、窒化ガリウムのメーカー8社一覧や企業ランキングも掲載しておりますので是非ご覧ください。窒化ガリウム関連企業の2024年4月注目ランキングは1位:株式会社新陽、2位:株式会社日本製鋼所、3位:日本ガイシ株式会社となっています。 窒化ガリウムとは 窒化ガリウム (英: Gallium nitride) とは、淡い灰色の粉末です。 化学式はGaNで、ガリウムと窒素の1:1の化合物であり、分子量は83.73、CAS登録番号は25617-97-4で表される半導体です。そのバンド構造において禁制帯のエネルギー幅が広いことから「ワイド・バンドギャップ半導体」とも呼ばれています。 主に青色発光ダイオードの材料として用いられています。また、近年ではパワー半導体やレーダーへの応用も期待されています。
SiCパワーデバイス市場、2029年までに100億ドル規模へ
SiCパワーデバイス市場、2029年までに100億ドル規模へ：パワーデバイス全体の27％に（1/2 ページ） 市場調査会社であるYole Groupによると、SiCパワーデバイスの市場規模は2029年に100億米ドルに達する見込みだという。この市場成長は主にEV（電気自動車）の需要に支えられるものだ。
SiCへの移行は加速するのか？ コストと持続可能性への疑問
SiCへの移行は加速するのか？ コストと持続可能性への疑問：開発プロジェクトを中止したメーカーも（1/2 ページ） アジア太平洋経済協力会議（APEC）のカンファレンスプログラムにて、WolfspeedのCEO（最高経営責任者）であるGregg Lowe氏が「SiC（炭化ケイ素）への移行は止められない」と語った。一方、Power Integrationsの会長兼CEOであるBalu Balakrishnan氏は「SiCがSi（シリコン）ほど高い費用対効果を実現することはない」と異議を唱えた。 アジア太平洋経済協力会議（APEC）が2024年2月25～29日、米国カリフォルニア州ロングビーチにて開催された。カンファレンスプログラムの目玉となったのは、WolfspeedのCEO（最高経営責任者）であるGregg Lowe氏の講演だった。業界唯一の垂直統合型SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスメー
65W級GaN搭載USB充電器をガチ評価、総合1位は意外なメーカー
USB充電器の大電力化と小型化が進んでいる。その原動力となっているのが、窒化ガリウム（GaN）のパワー半導体の採用だ。GaNパワー半導体は、シリコン（Si）のパワー半導体と比較して、スイッチング損失が少なく、高効率に電力変換が可能であるため、発熱が少なく小型化ができる。 今回、日経クロステックは、半導体周辺回路と応用製品の開発・設計を得意とするエンジニアリング会社のWave Technology（兵庫・川西）に依頼し、GaNパワー半導体を搭載したUSB充電器の性能評価と、内部構造の分析を行った。同社は開発・設計の知見を生かす形で、リバースエンジニアリングサービスも提供している。 評価の対象は、オンラインサイトで販売されている1つのUSB PDポートを持つ65W級USB充電器である（図1、図2）。具体的には、中国Ankerの「Nano II 65W A2663」、中国Sundix（ブランド名
「パワー半導体では青色LEDの時よりももっと社会貢献したい」ノーベル物理学賞受賞者・天野浩が何よりも「人のため」にこだわるそのワケ（サイエンスZERO） @gendai_biz
2014年、「青色LED」の研究でノーベル物理学賞を受賞した天野浩博士。青色LEDの材料「窒化ガリウム」の可能性をさらに広げ、今度は電気自動車や大容量無線通信技術への活用が期待される「次世代パワー半導体」の開発を進めています。 前編『「性能はシリコン半導体の10倍以上⁉」青色LEDノーベル物理学受賞者が進める「窒化ガリウム・半導体革命」《電力損失大幅低減》《大容量無線通信》』では、ノーベル物理学賞を受賞した青色LEDの研究において「窒化ガリウム」がどんな役割を果たしたのか、その後の半導体の進化へとつながる経緯を伺いました。 後編では、自身の研究者人生のこの20年の変化や、苦難や大発見を前にした時の研究の心得、強い社会貢献への思いなどについて語ってもらいました。 「激動の半導体競争」研究者として振り返るこの20年 ―この20年は天野さんにとってどんな20年でしたか？ 一番大きな変化は、201
「性能はシリコン半導体の10倍以上⁉」青色LEDノーベル物理学受賞者が進める「窒化ガリウム・半導体革命」《電力損失大幅低減》《大容量無線通信》（サイエンスZERO） @gendai_biz
「性能はシリコン半導体の10倍以上⁉」青色LEDノーベル物理学受賞者が進める「窒化ガリウム・半導体革命」《電力損失大幅低減》《大容量無線通信》 半導体素材として「シリコンを超える」窒化ガリウム ―窒化ガリウムの半導体としての素質は、どのようなものなのでしょうか？ 今世界で最も普及しているのはシリコン半導体です。シリコン半導体開発では、2018年頃から実用化されたEUＶ露光技術が大きなターニングポイントとなっています。「非常に細かいパターンで回路が描ける」という技術です。 しかし細かくしすぎると電子が勝手に動いてしまうような不具合が出てくるので、ゲート（電極の１つ）の長さは３ナノメートルくらいが限界だと言われています。あと数年したら、3ナノメートルぐらいのゲート長のトランジスター（半導体を使った部品の１つ）が出来て、それがもう限界に近いのではないかと言われてます。そうなると、後はもう二次元で
住友化学がパワー半導体を狙いGaN基板量産へ、24年度に4インチ
住友化学は、窒化ガリウム（GaN）基板を手掛ける完全子会社サイオクスを2022年10月1日付けで吸収合併した。住友化学の情報電子化学部門に組み込むことで、研究開発のスピードアップを図る。同社は半導体レーザー（LD）用GaN基板でトップシェアを持つが、今後は縦型GaNパワー半導体に用途を広げていく。 目下の目標は、2024年度の4インチ基板の本格量産だ。データセンター用サーバー電源、再生可能エネルギー、電気自動車（EV）などをターゲット市場にみる。2026年ごろに6インチ基板も実用化し、2032年までに関連事業（元々サイオクスが開発していたGaN以外の事業）と合わせて300億円の売上規模を目指す。 GaNはSiCより高耐圧・高周波 縦型GaNパワー半導体は、現在実用化されているGaN製品と異なる次世代パワーデバイスである。現在の「横型（GaN on Si）」は、シリコン（Si）基板上にGaN
基板の高品質化でGaN飛躍の可能性、パワーで先行するSiC追い上げも
パワー半導体の量産に適用可能な高品質・大口径のGaN基板の実現に成功 これらGaN基板が抱えている課題の根本的な原因は、GaN結晶の成長方法にある。現在量産されているバルクGaN基板は、サファイア基板上にHVPE法（ハイドライド気相結晶成長法）と呼ばれる気相成長法によってGaN結晶を成長させて作られている。サファイアなどを結晶成長の基材として利用すると、GaNとの格子定数の違いから、転位がたくさん発生してしまう。加えて、HVPE法では、約1000℃と高温で結晶成長させるため、成長後に常温に冷却すると基板全体が反ってしまい、オフ角が生じてしまうのだ。 現在バルクGaN基板の量産に利用されているHVPE法とは別に、高品質な結晶の成長が可能な方法として、「アモノサーマル法」と呼ばれる方法がある。アモノサーマル法とは、人工水晶の結晶を成長させる方法として工業化されている水熱合成法を応用した技術であ
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横型GaN猛追