IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。 VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」という。
IBM、世界初の2nm半導体技術を発表 バッテリー寿命は7nmの4倍
米IBMは5月6日（現地時間）、同社研究部門IBM Researchで製造した300mmウェーハ上で、2nmプロセスチップを生み出したと発表した。7nmプロセッサと比較して、約45％の性能向上、あるいは同じ性能レベルでの約75％の電力削減になるとしている。例えば、スマートフォンのバッテリー寿命を4倍にする可能性がある。 第2世代ナノシート技術が2nmノードへの道を開いたとしている。これにより「500億個のトランジスタをほぼ指の爪のサイズのスペースに収めることができる」という。IBMは米AnandTechに対し、指の爪のサイズとは150平方mmのことだと説明した。つまり、トランジスタ密度は1平方mm当たり3億3333万トランジスタということになる。ちなみに台湾TSMCの5nmチップのトランジスタ密度は1平方mm当たり1億7130万トランジスタだ。 IBMは2nmの利点として、スマートフォンの
Google、量子コンピュータで「量子超越性」を実証 特定の計算で“スパコン超え”
量子コンピュータの計算能力が、スーパーコンピュータなど従来型のコンピュータを上回ることを示す「量子超越性」を実証したと、Googleが発表。 米Googleは10月23日（現地時間）、量子コンピュータの計算能力が、スーパーコンピュータなど従来型のコンピュータを上回ることを示す「量子超越性」（Quantum Supremacy）を実証したと発表した。同日付の英科学誌「Nature」（電子版）に論文が掲載された。 乱数を生成する「ランダム量子回路サンプリング」という問題を量子コンピュータに解かせた。この問題は、最先端のスーパーコンピュータでは解くのに約1万年かかると見積もられるが、Googleの量子コンピュータは3分20秒で解き終えたという。 量子コンピュータは「量子ビット」（qubit）と呼ばれる情報単位を用いる。0と1だけでなく、その両方を重ね合わせた状態（量子の重ね合わせ）を表現でき、よ
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