東芝、コバルトフリーの5V級高電位正極を用いた新リチウムイオン二次電池を開発 将来車載向けに実用化を目指す
令和05年最新版 日本の半導体産業の現状について
台風で仕事が休みになりそうなので暇つぶしに。 3年くらい前に日本の半導体産業の近況をまとめたのですが、ここ数年で政治家の先生たちが何かに目覚めたらしく状況が大きく変わりつつあるので各社の状況をアップデート。 前回の記事 https://anond.hatelabo.jp/20200813115920 先端ロジック半導体■ JASM (TSMC日本法人) 熊本工場：28nm, 22nm (工場稼働時) / 16nm, 12nm (将来計画) 日本政府の補助金とソニー・デンソーの出資という離れ業により、業界人が誰も信じていなかったTSMCの工場進出が実現した。現在は建屋の建設が進んでおり、順調にいけば2024年内には量産開始となる。生産が予定されているプロセスはいずれも世界最先端に比べると古いものだが日本では最先端であり、HKMG(ハイケーメタルゲート、トランジスタの性能を上げる技術)やFin
東芝など、6分で充電できる次世代電池を2023年度に商業化へ
NTOを負極に用いるLIBは東芝が2017年に発表した次世代LIBの技術で、特徴は大きく3つ。（1）6分で90％充電できるなど超急速充電に対応する、（2）充放電サイクル寿命が2万5000回以上と非常に長い、（3）負極活物質の電位がLiに対して1.6Vも高く、Liイオンが析出することによるデンドライトが生じないため安全性が高い、である。 東芝はこれまで、負極活物質にチタン酸リチウム（Li4Ti5O12：LTO）を用いたLIB「SCiB」を製造してきた。SCiBには上記の（2）や（3）と同様な特徴があることで、定置型蓄電池のほか、新幹線車両「N700S」、そしてマイルドハイブリッド車（MHEV、電池の電力を発進や加速時のアシストだけに使う車両）への搭載が進んでいる。 ただし、SCiBはセルの重量エネルギー密度が89～96Wh/kg、体積エネルギー密度で200Wh/L弱と一般の高容量LIBの約1
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東芝、無充電EVの実現に貢献する新たな「透過型亜酸化銅（Cu2O）太陽電池」を開発
