DDR5 16GB×2枚が6,980円に、DDR4 16GB×2枚も6,480円など、メモリは記録的な全面安 [相場調査 5月第4週号] ![DDR5 16GB×2枚が6,980円に、DDR4 16GB×2枚も6,480円など、メモリは記録的な全面安 [相場調査 5月第4週号]](https://cdn-ak-scissors.b.st-hatena.com/image/square/6d0f009f213e096ac1b17e9a7b7ef2a4d13a24be/height=288;version=1;width=512/https%3A%2F%2Fakiba-pc.watch.impress.co.jp%2Fimg%2Fah%2Flist%2F1503%2F173%2F2023-0520-123014.jpg)
GoogleがChromeのRAM使用量を「ParitionAlloc-Everywhere」で改善へ | ソフトアンテナ
GoogleがChromeのRAM使用量を「ParitionAlloc-Everywhere」で改善へ 2020 12/23 MicrosoftはWindows 10 May 2020 Update(Version 2004)で、「セグメントヒープ」と呼ばれる機能を、Webブラウザを初めとしたWin32プログラムから利用できるように改良を加えました。 セグメントヒープはChromiumプロジェクトにも導入され、Googleもこの機能を使ってChromeのRAM使用量を改善する予定でしたが、その後CPU負荷が高まるなどの副作用が発見され計画が見送られたという経緯があります。 しかし今回、Googleはこのセグメントヒープのかわりに「ParitionAlloc-Everywhere」と呼ばれる機能を導入し、Chromeの改良を行う計画を立てていることがわかりました(Windows Latest
「iOS 13.2」ではバックグラウンドのアプリが強制終了されてしまうとの声が続出
iPhoneやiPadのOSであるiOS 13やiPadOS 13の最新バージョン「13.2」のユーザーから、OSがメモリのデータを過剰に管理しすぎるせいで、アプリを切り替えると使用状況が失われてしまうという声が相次いでいます。 Complaints Mounting About iOS 13.2 Being 'More Aggressive at Killing Background Apps and Tasks' - MacRumors https://www.macrumors.com/2019/10/31/ios-13-2-safari-refreshing-poor-ram-management/ iOS 13 is killing background apps more frequently, iPhone owners report - The Verge https://
PCの新たな可能性を切り開く「Optane Persistent Memory」――「Intel Memory & Storage Day」レポート その2
PCの新たな可能性を切り開く「Optane Persistent Memory」――「Intel Memory & Storage Day」レポート その2（1/5 ページ） Intelが、SSDを含むストレージ関連の半導体技術を一挙に紹介する「Intel Memory & Storage Day」を韓国で開催した。この記事では、同社のメモリ事業の命運を握る「Optane Persistent Memory」に関する動向を紹介する。 Intelは9月26日、韓国ソウルでメモリやストレージに対する取り組みや技術などを紹介するイベント「Memory & Storage Day」を開催した。 この記事では、同社の「Optane Persistent Memory」に関するトピックを中心にまとめる。 →96層QLCの「Intel 665P」をデモ さらに144層QLCへ――「Intel Memor
Intelのメモリー戦略は成功するか？ - 吉川明日論の半導体放談(103)
最近、Intelのメモリー戦略に関して各所で記事が出ていたので大変に興味深く読んでいた。私の理解が正しいとすれば経緯・状況は次のようなことであると思われる。 IntelはMicronとの協業により3D NANDフラッシュメモリー技術の開発を継続していたが、ここへ来てMicronとの技術的方向性での食い違いが明らかになり、MicronはIntelとの合弁として3D NANDの開発などを行ってきたIM Flashを買い取り、一方のIntelは清華紫光集団と提携し、それぞれの道を歩むこととなった。 この結果IntelとMicronは相互の製造委託の関係を打ち切り、Intelは従来45/32nmの300㎜ファブであったメキシコのRio RanchoにあるFab.11Xをメモリー生産に切り替える。このファブからは2020年にも133/144層の最先端3D NANDメモリーを出荷する予定である。あくま
Intelが次世代の成長市場として期待をかける「ストレージクラスメモリ」
10月4日に開催された「インテル デベロッパー・カンファレンス/ソリューション・デイ 2019」においてIntelは、3D Xpointメモリと3D NANDメモリを前面に押し出した発表を行った。 データセンタのサーバの場合、データの記憶階層は、CPU内部のキャッシュ、DRAMメモリで、その次はHDDというのが伝統的な構造である。 DRAMメモリのアクセスタイムは容量にもよるが数百ns程度である。これに対して、HDDのアクセスタイムは10ms～100msといったところで、DRAMと比較すると5桁くらい遅いことになる。PCでWebブラウザを動かしているような使い方の場合は、DRAMのメインメモリに格納されたデータをアクセスするだけで済むので、HDDがアクセスされることはほとんど起こらず、HDDが5桁遅いことはほとんど問題にならない。 しかし、データセンタのような用途や大規模なデータベースを処
仮想マシンのメモリを、ネットワーク経由でほかのサーバから拝借して増やせる「VMware Cluster Memory」、VMwareが開発中
仮想マシンのメモリを、ネットワーク経由でほかのサーバから拝借して増やせる「VMware Cluster Memory」、VMwareが開発中 VMwareは、仮想マシンに別のサーバに搭載されているメモリをネットワーク経由で利用する能力を持たせることで、ホストサーバが搭載する物理メモリ以上のメモリ容量を仮想マシンで利用できるようにする「VMware Cluster Memory」機能を開発していることを、VMworld 2019 USのセッションで明らかにしました。 RDMAを使って高速に別サーバのメモリにアクセス 「VMware Cluster Memory」実現の背景には、ネットワークの高速化が進んだことで、ネットワーク経由でのリソースアクセスのレイテンシがマイクロセカンドレベルにまで縮小し、ネットワーク経由でメモリにアクセスするRDMA（Remote Direct Memory Acc
東芝メモリ、台湾の電子部品大手からＳＳＤ事業買収へ（朝日新聞デジタル） - Yahoo!ニュース
東芝メモリホールディングスは３０日、台湾電子部品大手ライトンから、記憶装置「ＳＳＤ」の事業を買収すると発表した。主力製品のＮＡＮＤ（ナンド）型フラッシュメモリーを組み込んだＳＳＤは、データセンター建設による需要増加が見込まれている。買収で既存事業を強化し、年度内を目標にしている上場後の成長に布石を打つ狙いがある。 【写真】東芝メモリのＳＳＤ＝同社提供 ＳＳＤはデータセンターやパソコンに使われる。ライトンは発光ダイオードや半導体部品を主力製品としており、ＳＳＤ事業の売却を決定。２０２０年前半までの買収完了をめざす。金額は１億６５００万ドル（約１７５億円）という。 東芝メモリの主力製品であるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは最近、市況が悪化。データセンターへの投資が一巡し、メモリーを搭載するスマートフォンの売れ行きも鈍っていることから、需要が低迷しているためだ。東芝メモリの１９年４～６月期の純損益
ソニーが新型メモリーでインテルに挑戦状、ReRAM製品化狙う
ソニーが、新型メモリーの製品化に向けて動き出している。それが、ソニーセミコンダクタソリューションズが開発中の抵抗変化型メモリー（ReRAM）だ。NANDフラッシュメモリーより高速で、DRAMとNANDフラッシュメモリーのギャップを埋める不揮発性メモリーである「ストレージ・クラス・メモリー（SCM）」に向ける。SCM向けReRAMが製品化されれば、ソニーグループにとって新しいカテゴリーの製品、すなわち新規事業になる。 製品化を目指しているのは、ソニーセミコンダクタソリューションズが開発した、集積化に向くクロスポイント構造のReRAMを基にする。2017年6月に半導体（VLSI）関連の国際会議「2017 Symposium on VLSI Technology」（VLSIシンポジウム）で、100Gビット級の集積化が可能とする技術として発表済みである（関連記事）。フラッシュメモリー関係の世界最大
東芝、従来NANDより10倍高速なSLCベースのストレージクラスメモリ「XL-FLASH」発表 - エルミタージュ秋葉原
「XL-FLASH」は、メインメモリとストレージのスピードギャップを埋めるべく開発された、ストレージクラスメモリ（SCM）の新製品。 信頼性・耐久性に優れ、高速な1ビットセルであるSLCと、96層積層プロセスを採用する3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の技術を組み合わせた製品で、並列処理に優れた16物理プレーン構造を採用する。 さらに高速化を可能にする回路技術により、従来のTLCタイプに比べて読込時のレイテンシは約10倍高速な5μs以下を実現。一方、DRAMメモリに比べて低コストかつ大容量化が可能になるという。 なお一部OEM向けには今年9月から128Gbチップのサンプル出荷が開始され、量産開始は2020年になる予定だ。 文： エルミタージュ秋葉原編集部 池西 樹 東芝メモリ株式会社： https://www.toshiba-memory.co.jp/
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Google Chromeのメモリ使用量削減は先送り。CPU負荷増大のため
Engadget | Technology News & Reviews
英ランカスター大、DRAM並の速度かつ100分の1の消費電力で動作する不揮発性メモリ「ULTRARAM」
Report warns NAND memory prices could increase 40%, leading to more expensive M.2 SSDs in 2020
【イベントレポート】 キオクシア、2020年4月に小売りブランドを立ち上げSSDやメモリーカード製品を販売へ ～米国に加え、日本を含むアジアやヨーロッパでの販売を予定
Micron、DDR4より85%高速なDDR5 RDIMMのサンプリング開始
【笠原一輝のユビキタス情報局】メモリ階層に大変革をもたらすOptane Persistent Memory - PC Watch
【イベントレポート】 PCIeの高速化と3D NANDの低速化による性能ギャップがSSDで顕在化
Micron、業界初“1z nm”プロセスのDDR4メモリ量産開始 ～1チップ16GBのスマホ向けLPDDR4Xも量産、NAND工場の拡張も完了
macOS 10.14.6 Mojaveアップデート後にVMware Fusionの反応が遅くなった場合はメモリ設定の見直しを。
