That was fairly weird and highlighted two big things: Garbage collection seems to have trouble doing its job for the entire node without being prompted. There is memory not allocated directly by Erlang (the language) that seems to stay around and grow with time. I decided to focus on the first point (why GC was having trouble) because it was immediately actionable and showed tangible results that
Google グループでは、オンライン フォーラムやメール ベースのグループを作成したり、こうしたフォーラムやグループに参加したりすることで、大勢のユーザーと情報の共有やディスカッションを行うことができます。
STMはソフトウェアトランザクショナルメモリの略です。 ↓とりあえずwikipedia http://ja.wikipedia.org/wiki/%E3%82%BD%E3%83%95%E3%83%88%E3%82%A6%E3%82%A7%E3%82%A2%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B6%E3%82%AF%E3%82%B7%E3%83%A7%E3%83%8A%E3%83%AB%E3%83%A1%E3%83%A2%E3%83%AA 日本でSTMの話題を検索すると「楽観的ロックでしょ?」といった発言を見かける事が多く、確かに実用的な手法の多くはロックベースだったりしていますが、正直なところロックベースな手法のSTMはデータベースでのトランザクションと似ているフシがあったりしてデータベースに詳しい人からするとそれほど驚くような手法ではない事が多いのです。その
This document discusses Go memory management and garbage collection. It explains that Go uses garbage collection to free unused memory blocks and scavenging to return idle memory to the operating system. It provides details on allocation primitives like new() and make(), garbage collection configuration using GOGC, and memory statistics available via runtime.ReadMemStats(). Code examples are provi
米Intel社はトライゲート・トランジスタ(FinFET)技術を用いた22nm世代のDRAM混載SoC技術を開発し、「2013 Sympoium on VLSI Technology」(2013年6月11~13日、京都市)で発表した(講演番号:T2-1)。SoC混載メモリの集積密度としては過去最高という17.5Mビット/mm2を実現している。データ保持時間は95℃で100μs以上であり、動作速度は1GHz以上を実現できるとしている。講演では128Mビットの混載DRAMマクロの評価結果を示し、1Gビットのテスト・チップの写真も披露した。生産開始からわずか3カ月で、同社が22nm世代の論理LSIに混載しているSRAMと同等の製造歩留まりを達成したという。ただし、既に量産を開始しているか否かや、今後の量産計画については言及を避けた。 Intel社は従来、SoCに混載するメモリとしてはもっぱらSR
第4回 ReRAM搭載SSD――評価結果 寿命を7倍に改善 NANDフラッシュ・メモリに新型の不揮発性メモリを組み合わせることで、SSDを高速・低電力化する取り組みが活発化している。バッファローメモリは、MRAMをキャッシュ・メモリに利用したSSDのサンプル出荷を開始した。ReRAMをキャッシュ兼ストレージとして利用する新たなSSDアーキテクチャも登場してい… 2013.05.30 第3回 ReRAM搭載SSD――アーキテクチャ データの断片化を抑制 NANDフラッシュ・メモリに新型の不揮発性メモリを組み合わせることで、SSDを高速・低電力化する取り組みが活発化している。バッファローメモリは、MRAMをキャッシュ・メモリに利用したSSDのサンプル出荷を開始した。ReRAMをキャッシュ兼ストレージとして利用する新たなSSDアーキテクチャも登場してい… 2013.05.29 第2回 ReRAM
AMD,次期主力APU「Kaveri」で対応する新技術「hUMA」を発表。CPUとGPUが同じメモリ空間を共有可能に ライター:米田 聡 2013年4月30日13:01,AMDは,同社が提唱するGPUコンピューティングフレームワーク「HSA」(Heterogeneous System Architecture)実現のカギとなる技術「hUMA」(heterogeneous Uniform Memory Access」を発表した。 発表に先立って,同社はアジア太平洋地域の報道関係者向け電話会議を開催したので,今回はその内容を基に,hUMAのポイントをまとめてみたい。 なお,電話会議でhUMAの解説を担当したのは,AMDのコーポレートフェローであるPhil Rogers(フィル・ロジャース)氏だ。 HSA,hUMAって何だろう? 〜次世代APU「Kaveri」のカギとなる技術 2013年1月に示
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北森瓦版 - Northwood Blog (Author : 北森八雲. Since July 10, 2006.) 東芝、キャッシュ向けの低電力STT-MRAMを開発(Impress PC Watch) 世界最高の低消費電力性能を実現した新方式の不揮発性磁性体メモリ(STT-MRAM)を開発(東芝 / ニュースリリース) 東芝は12月10日、Processorのキャッシュメモリ向けに低消費電力性能を高めた新方式の不揮発性磁性体メモリ(STT-MRAM:Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory)を開発したと発表した。この新方式のSTT-MRAMでは現在Processorのキャッシュメモリに使用されているSRAMよりも低消費電力での動作を実現したとしており、シミュレータでは標準的なMobile向けProcessor
フラッシュメモリ死亡...なんて危機が、昔話になってしまうかも。 フラッシュメモリは速くて安定していますが、欠点がないわけじゃなりません。たとえば、何度も何度も書いたり消したりしているうちに「摩耗」する傾向があったりします。 でも、そんな問題に対処できる技術が登場しました。これによって、従来のものよりはるかに長持ちする自己回復型NANDフラッシュメモリが実現するかもしれません。 この技術は、台湾で「NOR型フラッシュメモリ」や「NAND型フラッシュメモリ」を製造するマクロニクス社が、後者を長持ちさせるためのカギとして熱に着目したところから開発されました。メモリを華氏480度(摂氏約249度)前後で数時間焼くと、寿命を伸ばせるのです。ただ、長時間焼く処理が非現実的なのが問題でした。 マクロニクスではより現実的な方法を模索し、超高温ヒーター搭載チップを開発しました。チップ全体を焼くのではなく、
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