歴史：ReRAM - WikipediaReRAM（英: resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（電界誘起巨大抵抗変化、CER[1]効果）を利用しており、 電圧で書き換えるため（電流が微量で）消費電力が小さい 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2（Fは配線の径で、数十nm程）と小さく、高密度化（=低コスト化）が可能 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 原理[編集] ReRAMのセル構造 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化の2種類の原理がある。このうち前
