COLUMN：【SSD/NAND 基礎講座】 31．Read Disturb(リード ディスターブ) 1/2特定のエリアに偏って読み出し続けていると、書き換え回数が多く、かつ、 長期間にわたって読み出さないエリアの誤り率が増加する。 １．書き換え回数が多くなるほどメモリセルに対するストレスが蓄積し、 記録したデータが時間経過とともに消えやすくなる。 ２．特定のブロックだけを繰り返して読み出した時、 読み出さないエリアにもストレスがかかる。 NANDフラッシュメモリは読み出さないエリアにも電圧が加わる。 このため記録したデータが少しずつ消えていく(電圧が少しずつ低下し、しきい値を下回る)。 NANDフラッシュメモリはReadを繰り返すだけでセルに負荷をかける。 Eraseには制限回数があが、Readは過度にReadを繰り返すとビット化けを起こす危険がある。 Readすると該当するページに負荷がかかるが、 ワードラインとビットラインを共有している別のページや隣接するブロックにも負荷がかかる。 Rea
