47NEWS（よんななニュース）北朝鮮の金与正氏の談話、日本に政策転換迫る「宣伝戦」か 拉致問題「解決済み」とし、日朝対話ちらつかせる
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松下、45nmシステムLSIの量産一番乗り
松下電器産業は6月19日、45ナノメートル（nm）プロセスによるシステムLSIの量産を開始したと発表した。同プロセスによるシステムLSI量産は世界初としている。 魚津工場（富山県魚津市）の300ミリウエハーラインで、デジタル家電用システムLSI「Uniphier」の新世代品の量産を開始した。H.264やMPEG-2などの複数の規格に対応するコーデックを搭載。45nmプロセスの採用で、大規模システムをワンチップかつ低消費電力で実現したとしている。年内にもデジタル家電への搭載を始める。 45nmプロセスには、開口率が1超の液浸ArFスキャナーと、同社独自の超解像形成技術を導入。「歪導入高移動度トランジスタ」の採用と、Low-k絶縁膜による多層配線技術により、高速化と低消費電力を両立するという。 同社はルネサステクノロジと共同で45nmプロセスの開発を進めてきた（関連記事参照）。65nmプロセス
大河原克行のデジタル家電 -最前線-
大河原克行のデジタル家電 -最前線- これがシャープ亀山第2工場だ! 〜 なぜ、工場の差がテレビの差になるのか? 〜 今年1月、シャープの亀山第2工場は第2期生産ラインを稼働させた。第8世代と呼ばれるパネルサイズの生産で月3万枚。国内のみならず、海外市場にも、大画面テレビで本格的に打って出る体制を整えたといえる。さらに、今年7月には第3期生産ラインを稼働し、月産6万枚で体制に、2008年中には月9万枚でフル生産体制へと、拡張する予定だ。亀山第2工場とはどんな工場なのだろうか。 ■ 大画面生産に適した第8世代を導入 「工場の差が、テレビの差になる。」――最近、シャープでは、このキャッチフレーズを使い、液晶テレビAQUOSの強みを訴えている。 この言葉は、大画面液晶テレビ生産の主役である亀山工場のことを指している。 とくに、2006年8月の第1期生産ラインの稼働から、今年1
液晶より構造が簡単で、有機ELやPDPよりも高性能なディスプレイ技術 | スラド
EE Times Japanによれば、米国のUniPixel Displaysという企業が、液晶パネルよりも構造が簡単で、有機ELパネルやPDPよりも高性能な独自のディスプレイ技術「TMOS (Time Multiplexed Optical Shutter)」を開発しており、2007年第4四半期までにテレビ用途に向けたディスプレイを用意する計画であるという。このTMOS技術は同社が、Xerox PARCやLockheed社、Sandia National Laboratoriesと共同で開発を進めてきたもの。時間分割加色法という、1つの画素においてRGBの各色を短時間に点滅させる方法を採用している。基板上に設ける層の数がPDPでは15層、液晶パネルでは30層必要なのに対して、TMOS技術ではわずか6層で済むという。試作品は既にできているということなので、しばらくすると本当に姿を拝めるよう
プレスリリース | 404 File not found | NICT-情報通信研究機構
大変申し訳ございません。 お客様がアクセスしようとしたプレスリリースが見つかりませんでした。 恐れいりますが、右側のメニューから、再度お探しいただけますでしょうか？ English page
産総研：小さな分子の形の変化を直接観察
発表・掲載日：2007/02/23 小さな分子の形の変化を直接観察 －世界初の有機分子の構造の電子顕微鏡観察：分子の構造変化の動画撮影に成功－ 発表概要 刻々と時間変化する有機分子の一分子一分子の形と運動の直接観察に世界で初めて成功した。研究目的に合わせてまず、細胞膜の主成分である脂質分子に似せた化合物を合成した。これを真空中で揮発させてカーボンナノチューブの中に入れて、高分解能電子顕微鏡で観察すると、飽和炭化水素の鎖の動きや、チューブの中を往復する様子を秒の単位で観察できた。これまで誰も見たことのなかった分子の動きが約一分にわたる動画として記録された。 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 総括実施型研究（ERATO）中村活性炭素クラスタープロジェクトのもと、研究総括である中村栄一 教授（東京大学）、末永和知 博士（産業技術総合研究所）と東京大学の磯部寛之 助教授の共同研究チームは、
産総研：世界最小の電気抵抗値の大電力用炭化ケイ素（SiC）半導体素子を開発
炭化ケイ素（SiC）結晶のカーボン面上に大電力用半導体素子（IEMOS）を形成して動作時の電気抵抗値1.8mΩcm2を達成 シリコンパワー素子と比較して動作時の電力損失は１０分の１以下 IHヒーター、エアコン、パソコンサーバー等の家庭用電化機器の省エネルギー化が促進 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）パワーエレクトロニクス研究センター【センター長 荒井 和雄】は、炭化ケイ素（SiC）半導体のカーボン面にIEMOS（Implantation and Epitaxial MOSFET）と呼ばれる素子を形成する技術を開発した。 SiCは大電力を制御できるので次世代の省エネルギーパワー素子として期待されている。産総研は以前IEMOSの開発に成功し当時世界最小の電気抵抗4.3 mΩcm2を実現していたが、今回SiC結晶のカーボン面にIEMOSを形成すること
産総研：32ナノ世代LSI用ひずみ構造のn型トランジスタを開発
発表・掲載日：2006/12/12 32ナノ世代LSI用ひずみ構造のn型トランジスタを開発 －電流方向にひずみをかけ電子移動度を2.2倍に改善－ ポイント シリコンの(110)結晶面に電流方向に引っ張りひずみをかけた新しいn型MOSトランジスタを開発 極微細化に適した立体マルチゲート構造のトランジスタを試作し、従来に比べ2.2倍の高い性能を実証 開発済みのp型MOSトランジスタと組み合わせ32ナノ世代のマルチゲートCMOSが実現可能に 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）次世代半導体研究センター【センター長 廣瀬 全孝】と技術研究組合 超先端電子技術開発機構【理事長 西田 厚聰】（以下「ASET」という）は、独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構の委託事業である半導体MIRAIプロジェクト（次世代半導体材料・プロセス基盤（MIRAI）プロ
産総研：マイクロ波利用によるバインダー不要のセラミックス成形技術を開発
マイクロ波によってセラミックス粒子表面の水和反応を促進し、有機バインダーを用いないで成形体の作製が可能 焼成プロセス中の燃焼生成物である二酸化炭素の排出量低減が可能となる。 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）先進製造プロセス研究部門【部門長 三留 秀人】先進焼結技術研究グループ 渡利 広司 研究グループ長、安岡 正喜 主任研究員および白井 孝 産総研特別研究員らは、マイクロ波照射によりセラミックス粒子の水和反応を促進することで、有機バインダーを用いることなく保形性に優れたセラミックス成形体の作製を可能にする新しい製造プロセス技術を開発した。 セラミックスの成形プロセスでは、成形体の形を保持するために、有機高分子をバインダー（結合剤）として添加する。このバインダーは焼成過程で加熱分解され、二酸化炭素などの温室効果ガスや有害ガスとして排出される。その
PS3は青色半導体レーザー製造の問題をクリアできるか? | スラド
Playstation 3の国内での初日出荷台数が10万台と明らかになった際に 青色レーザーダイオードの生産の遅れが原因とされていたが、 EEtimes Japanの記事にて、 青色発光ダイオードの製造法の発明で知られる カリフォルニア大学サンタバーバラ校教授の中村修二氏が 「GaN（窒化ガリウム）素子の量産で、高い歩留まり率を得るのは極めて難しい」、 「本当の意味で青色レーザーの量産に成功した技術者は、まだ1人も 存在しない」と述べている。 現在、青色レーザーの製造に使われているGaN単結晶基板には、 多くの転位や欠陥が含まれ、1枚のGaN単結晶基板から得られる 良品の数は約半数になってしまい、さらに、基板が極めて反りやすいために フォトリソグラフィ工程で光を均一に照射することが難しいために、 歩留まり率はさらに低下するとのことだ。 Tech-Onの記事にあるように、 SCE CEOの久
産総研：ディスプレイに応用可能なカーボンナノチューブを開発
発表・掲載日：2006/11/07 ディスプレイに応用可能なカーボンナノチューブを開発 －二層カーボンナノチューブを高純度で合成－ ポイント 高純度二層カーボンナノチューブの含有率を制御できる高効率合成法を開発 世界最高レベルの含有率（８５％）、高純度、長尺を達成 二層カーボンナノチューブを利用することで、高輝度、低電圧ディスプレイ開発へ弾み 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）ナノカーボン研究センター【センター長 飯島 澄男】ナノカーボンチーム 畠 賢治 チーム長、山田 健郎 研究員は、単層カーボンナノチューブの合成法の一つである水分添加CVD法（スーパーグロース法）を改良し、二層カーボンナノチューブを高含有率で合成する技術を開発した。二層カーボンナノチューブは、基板上から垂直に起立した形で成長し、2.2mmの高さの構造体を形成する。形成された構
産総研：LSI実装用のピラミッド型の微細金接続端子形成技術を開発
発表・掲載日：2006/10/24 LSI実装用のピラミッド型の微細金接続端子形成技術を開発 －産総研の「地域中小企業支援型研究開発制度」の成果－ ポイント 10µmのピラミッド型金接続端子（バンプ）を20µmピッチで作製 通常のフォトリソグラフパターンでピラミッド型バンプが形成できる 低荷重（従来の1/3）でチップを接続できるので、チップにダメージを与えず信頼性の高い、高密度実装が可能になる 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【部門長 和田 敏美】高密度ＳＩ研究グループ 青柳 昌宏 研究グループ長は、株式会社みくに工業【代表取締役 林 誉英】および長野県工業技術総合センター【所長 島田 享久】 精密・電子技術部門と共同で、LSI半導体チップの高密度実装に用いるピラミッド型の微細金バンプの形成技術を開発した。 シリコンチッ
大面積露光が可能な小型レーザー直接描画装置の開発に成功
平成１８年８月２９日 東京都千代田区四番町５－３ 科学技術振興機構（ＪＳＴ） 電話03(5214）8404(総務部広報室) URL https://www.jst.go.jp ＪＳＴ（理事長 沖村憲樹）は、独創的シーズ展開事業委託開発の開発課題「マルチポリゴン方式レーザー直接描画システム」の開発結果を、このほど成功と認定しました。 本開発課題は、新潟大学工学部教授の新田勇の研究成果を基に、平成１５年３月２６日から平成１８年３月３１日にかけて株式会社オプセル（代表取締役小俣公夫、本社：埼玉県さいたま市緑区太田窪1-1-21、資本金15百万円、電話：048-260-3308）に委託して、企業化開発（開発費約99百万円）を進めていたものです。 本開発は、プリント基板や液晶パネルなどの製造において、複数のレーザー光源内蔵型ポリゴン走査ユニットを用いて、短時間で高精細・大面積のパターン描画を実施でき
中皮腫を壊すウイルスが発見 | スラド
JonMoo曰く、"アスベスト問題で名が知られるようになった中皮腫という癌だが、 毎日新聞に大阪府立成人病センターの研究グループが中皮腫の細胞を破壊するウイルスを発見したという記事が掲載されている。 研究グループは、平滑筋にだけ現れるたんぱく質「カルポニン」が中皮腫にも同じように存在することを突き止め、カルポニンを生み出しながら分裂、増殖する肉腫だけを標的にするように遺伝子が改変されたウイルスをマウスに移植したヒトの「肉腫型」中皮腫細胞に投与し、腫瘍を１割程度にまで小さくすることに成功したという。 中皮腫は治療法が確立されていない病気であるが、今後の進展に期待である。"
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東芝コンシューママーケティング株式会社 ｜ プレスリリース
http://www.eetimes.jp/contents/200611/12913_1_20061120185726.cfm
http://www.jnc.go.jp/02/press2006/p06092201/index.html
http://www.jnc.go.jp/02/press2006/p06091401/index.html
プレスリリース｜独立行政法人 物質・材料研究機構