東京大学 物性研究所 広島大学 発表のポイント 銅シリサイドCu2Si単原子シートを合成、その中に「ディラック線(注1)」の存在を発見。 本シートに「ディラック線」が存在することを最先端の実験と理論で実証。 グラフェンの100倍以上のキャリア数を持つ導電性シートとして次世代エレクトロニクスを飛躍的に向上させる可能性。 発表概要 東京大学物性研究所の松田巌准教授、杉野修准教授、Tai C. Chiang客員教授らの研究グループは、広島大学放射光科学研究センターのBaojie Feng助教、中国科学院のLan Chen教授・Kehui Wu教授、北京工業大学のYugui Yao教授、イタリアELETTRA放射光施設のPaolo Moras主任研究員と共同で、銅(Cu)とケイ素(Si)からなる化合物の単原子シート、銅シリサイド(Cu2Si)を合成し、その中に「ディラック線」が存在することを発見し