窒化ガリウム（GaN）FETのドライバとコントローラ | EPC
窒化ガリウムFETベースの電力変換システムは、シリコン・ベースの代替システムよりも高効率で、電力密度が高く、システム全体のコストを削減できます。これらの優れた特性によって、eGaN FETの性能をさらに強化するゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品などのパワー・エレクトロニクス部品のエコシステムが増え続けています。 台湾uPI Semiconductor、米テキサス・インスツルメンツ、米マイクロチップ･テクノロジーなどの半導体サプライヤは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。 以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。 GaNの利用法04a：設計の基本：ゲート駆動。 このビデオでは、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使うための基本的な手法について説明します。
ルネサス テクノロジ
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goofing with GaN – nk
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GaNgrowth
GaNの結晶成長 <0001>方位のGaNは<0001>方位のサファイア基板(αAl2O3)を用いて結晶成長させることによって得られる。この時のGaNとサファイア基板との方位関係は以下の図の通りとなる。格子ミスマッチは16％にも及び、このためGaN膜には多くの転位が存在してしまう。AlNはサファイアとの格子ミスマッチが13％とやや小さくなるため、AlNをバッファ層として用いると転位密度は減少するがそれでも108～1010/cm2もの転位が存在が含まれてしまう。 Fig. GaN grown on Sappire (0001) 横方向成長は基板を部分的に薄いマスクで覆い、マスクが無い部分に選択的に結晶成長させてやるとマスク上面を越えて成長したものは今度はマスクの上に成長することを利用したものである。マスク上を横方向に成長して隣り合ったマスクからの成長膜が出会った部分にのみ転位が導入されるため
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Transphorm and Yaskawa Electric launch PV inverter for mass production - Electronic Products
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