デンソーなど3社が6インチSiCウェーハを開発、EVなどの大容量インバータに最適
デンソー、昭和電工、豊田中央研究所の3社は、欠陥数を従来比で10分の1に削減した6インチSiCウェーハの開発を進めている。欠陥数の削減により、電気自動車（EV）などの大容量インバータに適した、電流容量の大きいSiCデバイスを歩留まり良く製造できるのが特徴だ。 デンソー、昭和電工、豊田中央研究所の3社は、次世代パワー半導体であるSiC（シリコンカーバイド）デバイスのコスト低減に必須とされる、直径6インチ（150mm）のSiCウェーハを開発している（関連記事）。SiCデバイスの量産時の歩留まり（良品率）や電流容量を向上するために、ウェーハ表面の欠陥数を従来比で10分の1に削減していることが特徴。2015年以降に、この6インチSiCウェーハを用いたSiCデバイスの量産を目指す。 SiCウェーハからSiCデバイスを製造する際に、最大の問題となるのがウェーハの表面についている微小な欠陥である。欠陥の
自動車業界のSiCデバイス採用が始まる、まずはEV用急速充電器から
次世代パワー半導体であるSiCデバイスの、自動車業界への採用が始まっている。電気自動車（EV）用急速充電器の電力変換効率を高めるために、既に実機に搭載されているのだ。 次世代パワー半導体として長らく開発が進められてきたSiC（シリコンカーバイド）デバイス。“次世代”と言う以上、量産製品への搭載がほとんど進んでいないように感じられるが、実際にはそうではない。各種電源装置に組み込まれているDC-DCコンバータやインバータの必須部品の1つであるダイオードについては、SiCベースのショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）が採用されつつあるのだ。 「TECHNO-FRONTIER 2012」（2012年7月11～13日、東京ビッグサイト）の技術シンポジウムのSiCデバイスに関するセッションに登壇した、ロームのSiCパワーデバイス製造部で副部長を務める伊野和英氏は、「現在、SiC-SBDは、デー
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