デンソー、昭和電工、豊田中央研究所の3社は、欠陥数を従来比で10分の1に削減した6インチSiCウェーハの開発を進めている。欠陥数の削減により、電気自動車(EV)などの大容量インバータに適した、電流容量の大きいSiCデバイスを歩留まり良く製造できるのが特徴だ。 デンソー、昭和電工、豊田中央研究所の3社は、次世代パワー半導体であるSiC(シリコンカーバイド)デバイスのコスト低減に必須とされる、直径6インチ(150mm)のSiCウェーハを開発している(関連記事)。SiCデバイスの量産時の歩留まり(良品率)や電流容量を向上するために、ウェーハ表面の欠陥数を従来比で10分の1に削減していることが特徴。2015年以降に、この6インチSiCウェーハを用いたSiCデバイスの量産を目指す。 SiCウェーハからSiCデバイスを製造する際に、最大の問題となるのがウェーハの表面についている微小な欠陥である。欠陥の