【福田昭のセミコン業界最前線】 3D XPointを超える大容量メモリ技術「セレクタオンリーメモリ」
ChatGPTでGPUのDRAM価格高騰。HBMなどの需要が大幅増に
ChatGPTではNVIDIA製グラフィックスカードが処理に使われていますが、このChatGPTの使用頻度増加と用途拡大によってNVIDIA製グラフィックスカードに搭載されているDRAM価格が大きく高騰しているようです。 ChatGPTでNVIDIA製グラフィックスカードの需要が大幅増。DRAM価格が需要増により大幅高騰へ ChatGPTというとたった数週間で100万人のユーザーを獲得するなど人気爆発中のテキスト生成AIですが、最近ではMicrosoftと協業しBingやMicrosoft 365にもChatGPT機能を統合する見通しとなっています。このChatGPTの処理に使われているのがグラフィックスカードで、この中でもNVIDIAがAI用途向けに開発した100シリーズGPUが多様されていますが、これらのグラフィックスカードに搭載されているHBM3やHBM2などの高速VRAMの需要が大
非ECCメモリを使った結果データが破損したという体験談
PCに搭載するメモリの中には、エラー訂正機能を備えた「ECCメモリ」と呼ばれるものが存在します。このECCメモリは主にサーバーなどで用いられているのですが、ソフトウェアコンサルタントのロバート・エルダー氏は自身のPCが壊れた経験を踏まえて「個人用PCでもECCメモリを採用するべき」と主張しています。 Non-ECC Memory Corrupted My Hard Drive Image - This Is Why ECC Memory Is So Important - YouTube エルダー氏が非ECCメモリの問題点を発見した流れはこんな感じ。最初に、エルダー氏は壊れたPCを修理するために、HDDに保存したデータを別のHDDに移行しようとしました。 データの移行にはコマンドラインツールの「ddrescue」を使用しました。ddrescueはデータコピーツール「dd」とは異なり、不良セ
混載MRAMの書き換えエネルギーを72％削減、ルネサス（EE Times Japan） - Yahoo!ニュース
混載MRAMは、書き換えエネルギー、書き換え速度ともに混載フラッシュメモリよりも向上する 出所：ルネサス エレクトロニクス ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。なお、今回ルネサスが発表したのはMRAMそのものではなく、混載MRAMに適用するための回路技術である。 スロープパルス方式では印加電圧を高くしていくのでメモリセル電流も増加し、低抵抗状態への遷移を正確に検知できるようになる［クリックで拡大］ 出所：ルネサス さらなる低消費電力化
産総研、タンタル層の挿入で「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を改善
産業技術総合研究所(産総研)は7月21日、原子層レベルで制御されたタンタルを用いることで、「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発したと発表した。 同成果は、産総研 新原理コンピューティング研究センター 不揮発メモリチームの山本竜也研究員、同・野﨑隆行研究チーム長らの研究チームによるもの。詳細は、無機材料を扱う学術誌「Acta Materialia」にオンライン掲載される。 次世代不揮発メモリとして期待されるMRAMは、膜厚が数nmの磁石/絶縁層/磁石からなる構造の「磁気トンネル接合(MTJ)素子」からなる記憶素子への情報書き込みに電圧駆動MRAMを使用すれば、現在主流のSTT-MRAMと比べてさらに数桁駆動電力を下げることが可能となると考えられており、その実用化に向けて、磁気安定性および制御効率のさらなる改善が進められている。 産総研でも長年にわたって研究開発が
SK hynix、EUV露光による1αnm世代DRAM量産を開始
同社は、既に1ynm世代のDRAM生産でEUV装置を一部導入しており、「最先端のリソグラフィ技術の安定性を証明した後、初めてEUV装置を量産に採用した。プロセスの安定性が証明されたことから、今後、1αnmのDRAM生産には全てEUV技術を使用する予定だ」と説明している。なお、2020年10月に発表したDDR5 DRAMには、2022年初頭から1αnmプロセスを適用する予定という。 1αnm世代は、前世代（1znm世代）と比較して、同サイズのウエハーから生産されるDRAMチップの数を約25％増加させることができるといい、SK hynixは、「この1αnm DRAMが、世界的なDRAM需要の増加に伴う、世界市場の需給状況の緩和にも貢献するものと期待している」と述べている。 関連記事 Intelがファウンドリー事業を発表、工場にも大規模投資 Intelは2021年3月23日（米国時間）、新CEO
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM：福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）（1/2 ページ） MRAMとSTT-MRAMの製品化事例を報告 フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」が2020年11月10日～12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19（新型コロナウイルス感染症）の世界的な大流行（パンデミック）による影響で、2020年のFMS（FMS 2020）は開催時期が3カ月ほど延期されるとともに、バーチャルイベントとして開催された。 FMSは数多くの講演と、展示会で構成される。その中で、フラッシュメモリを含めた不揮発性メモリとストレージの
SamsungのEUV適用D1z世代のDRAMを分析
Samsung Electronics（以下、Samsung）がついに、ここ数カ月にわたり待望されていた、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を導入した「D1z」プロセスのDRAMの量産を開始した。同社は2020年初頭に、「業界初」（同社）となるArF液浸（ArF-i：ArF immersion）ベースのD1z DRAMと、EUVリソグラフィ（EUVL）適用のD1z DRAMの両方を開発すると発表していた。 EUV適用「D1z」世代のDRAM Samsung Electronics（以下、Samsung）がついに、ここ数カ月にわたり待望されていた、EUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を導入した「D1z」プロセスのDRAMの量産を開始した。同社は2020年初頭に、「業界初」（同社）となるArF液浸（ArF-i：ArF immersion）ベースのD1z DRAMと、EUVリソグラフィ（EUV
SK hynixの新工場「M16」が完成、1αnmのDRAM生産へ
SK hynixは2020年2月1日（韓国時間）、韓国・京畿道の利川（イチョン）市に建設した新たな工場「M16」の落成式を行った。この新施設はメモリデバイスの生産に使われる予定で、まずは1α（アルファ）nm世代（10nmプロセス）を適用するDRAMの生産から開始する。量産開始は2021年後半を見込んでいる。 SK hynixは2020年2月1日（韓国時間）、韓国・京畿道の利川（イチョン）市に建設した新たな工場「M16」の落成式を行った。この新施設はメモリデバイスの生産に使われる予定で、まずは1α（アルファ）nm世代（10nmプロセス）を適用するDRAMの生産から開始する。量産開始は2021年後半を見込んでいる。 同社によると、M16はEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置を導入した同社初の工場になるという。それにより、同社は10nm以降のノードに向けて前進する可能性を手にする。M16の床面積
Micron、世界初1αnm世代のDRAM製品を出荷開始 - エルミタージュ秋葉原
すでにPC向けDDR4メモリチップの大量生産が開始されており、今後モバイル端末から自動運転分野に至るまで、幅広いプラットフォーム向けに1αnm世代のDRAM製品を出荷する。製品は8Gbから16Gbまでをラインナップする。 ちなみに特に注目されているのは、高密度化の恩恵が大きいモバイル端末向けで、1αnm世代への移行により電力効率が改善。現在はスマートフォンなどモバイル端末メーカーに対し、LPDDR4製品のサンプル出荷が開始されている。5Gスマートフォン向けのLPDDR5メモリの場合は、従来から15％の省電力化が可能という。 文： エルミタージュ秋葉原編集部 絵踏 一 Micron Technology： https://www.micron.com/
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ＳＫハイニックス、演算可能な次世代メモリー半導体開発（中央日報日本語版） - Yahoo!ニュース
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