元自民党衆院議員の河村建夫さん(81)、よりによって社名ロンダリング4回で怪しいIR連発中のクオンタムソリューションズの会長に就任へ 自社株を担保に借金しているENECHANGE(エネチェンジ)筆頭株主兼社長の城口洋平さん、粉飾決算疑惑による株価下落で追証を喰らい保有株の一部が強制決済される
エルピーダメモリは12月22日、同社広島工場において、40nmプロセスを採用した2GビットDDR3 SDRAMの量産を開始したことを発表した。同メモリは2009年10月に開発を完了しており、当初の予定通り、約2カ月での量産投入となる。 今回発表された40nmプロセス 2GビットDDR3 SDRAM 同メモリは、製造プロセスの微細化により、従来の50nmプロセス品比で、ウェハあたりのチップ取れ数が44%増、速度および歩留まりも現行のDDR3規格の最高速度となる1.6Gbps品で100%を達成しており、さらなる高速規格にも対応可能という。消費電力も50nmプロセス品比で約2/3に低減、DDR3標準の1.5Vのほか、1.2Vおよび1.35Vもサポートしており、消費電力を約半分に削減することができる。 同社では、40nmプロセス2GビットDDR3品を広島工場にて順次投入量を増やしていく予定だ。ほか
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く